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NX3DV221GM,132

配單專家企業(yè)名單
  • 型號
  • 供應商
  • 數(shù)量
  • 廠商
  • 封裝
  • 批號
  • 價格
  • 說明
  • 操作
  • NX3DV221GM,132
    NX3DV221GM,132

    NX3DV221GM,132

  • 深圳市德力誠信科技有限公司
    深圳市德力誠信科技有限公司

    聯(lián)系人:王小姐

    電話:13305449939

    地址:上海市靜安區(qū)恒豐路568號恒匯國際大廈903室

  • 1899

  • NXP

  • NA

  • 近兩年

  • -
  • 查價格、訂購可到京北通宇商城www.jb...

  • NX3DV221GM,132
    NX3DV221GM,132

    NX3DV221GM,132

  • 萬三科技(深圳)有限公司
    萬三科技(深圳)有限公司

    聯(lián)系人:王小康

    電話:181886423070755-21006672

    地址:深圳市龍華區(qū)民治街道新牛社區(qū)金地梅隴鎮(zhèn)9棟4單元14C

  • 6500000

  • NXP USA Inc.

  • 原廠原裝

  • 22+

  • -
  • 萬三科技 秉承原裝 實單可議

  • NX3DV221GM,132
    NX3DV221GM,132

    NX3DV221GM,132

  • 北京首天偉業(yè)科技有限公司
    北京首天偉業(yè)科技有限公司

    聯(lián)系人:劉先生

    電話:010-621049316210489162104578

    地址: 廣東省深圳市福田區(qū)華強北街道電子科技大廈C座23E

    資質:營業(yè)執(zhí)照

  • 5000

  • NXP Semiconductors

  • 標準封裝

  • 16+

  • -
  • 假一罰十,原裝正品

  • NX3DV221GM,132
    NX3DV221GM,132

    NX3DV221GM,132

  • 深圳市歐和寧電子有限公司
    深圳市歐和寧電子有限公司

    聯(lián)系人:李先生

    電話:0755-292759351581559886118576729816

    地址:廣東省 深圳市 福田區(qū) 華強北賽格科技園6C18室

  • 69800

  • NXP

  • 近兩年生產(chǎn)

  • XFQFN-10

  • -
  • 每一片都來自原廠

  • NX3DV221GM,132
    NX3DV221GM,132

    NX3DV221GM,132

  • 深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
    深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司

    聯(lián)系人:何芝

    電話:19129491934(手機優(yōu)先微信同號)0755-82865099

    地址:深圳市福田區(qū)華強北街道華強北路1016號寶華大廈A座2028室

    資質:營業(yè)執(zhí)照

  • 6035

  • NXP Semiconductors

  • 10-XQFN (1.55x2)

  • 1315+

  • -
  • 原裝正品,現(xiàn)貨庫存!400-800-03...

  • NX3DV221GM,132
    NX3DV221GM,132

    NX3DV221GM,132

  • 深圳市科宏特電子有限公司
    深圳市科宏特電子有限公司

    聯(lián)系人:李瑞兵

    電話:18897698645

    地址:深圳市福田區(qū)深南中路華強電子世界三店佳和4C148

  • 36000000

  • NXP

  • 22+

  • -
  • 原裝正品

  • 1/1頁 40條/頁 共12條 
  • 1
NX3DV221GM,132 PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實際PDF為準
  • 功能描述
  • 模擬開關 IC 3.6 V 100 mA 6 Ohms
  • RoHS
  • 制造商
  • Texas Instruments
  • 開關數(shù)量
  • 2
  • 開關配置
  • SPDT
  • 開啟電阻(最大值)
  • 0.1 Ohms
  • 切換電壓(最大)
  • 開啟時間(最大值)
  • 關閉時間(最大值)
  • 工作電源電壓
  • 2.7 V to 4.5 V
  • 最大工作溫度
  • + 85 C
  • 安裝風格
  • SMD/SMT
  • 封裝 / 箱體
  • DSBGA-16
NX3DV221GM,132 技術參數(shù)
  • NX3DV221GM,115 功能描述:模擬開關 IC ANLG SWT DPST 3.3V RoHS:否 制造商:Texas Instruments 開關數(shù)量:2 開關配置:SPDT 開啟電阻(最大值):0.1 Ohms 切換電壓(最大): 開啟時間(最大值): 關閉時間(最大值): 工作電源電壓:2.7 V to 4.5 V 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DSBGA-16 NX3225SC-30.320M-EXS00A-CS03981 功能描述:30.32MHz ±10ppm 晶體 6pF 100 歐姆 -40°C ~ 125°C 表面貼裝 4-SMD,無引線(DFN,LCC) 制造商:ndk 系列:NX3225SC 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 類型:MHz 晶體 頻率:30.32MHz 頻率穩(wěn)定度:±25ppm 頻率容差:±10ppm 負載電容:6pF ESR(等效串聯(lián)電阻):100 歐姆 工作模式:基諧 工作溫度:-40°C ~ 125°C 等級:- 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:4-SMD,無引線(DFN,LCC) 大小/尺寸:0.126" 長 x 0.098" 寬(3.20mm x 2.50mm) 高度:0.028"(0.70mm) 標準包裝:1 NX3225SC-18.08M-STD-CRS-1 功能描述:18.08MHz ±15ppm 晶體 8pF 120 歐姆 -40°C ~ 125°C AEC-Q200 表面貼裝 4-SMD,無引線(DFN,LCC) 制造商:ndk 系列:NX3225SC 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 類型:MHz 晶體 頻率:18.08MHz 頻率穩(wěn)定度:±50ppm 頻率容差:±15ppm 負載電容:8pF ESR(等效串聯(lián)電阻):120 歐姆 工作模式:基諧 工作溫度:-40°C ~ 125°C 等級:AEC-Q200 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:4-SMD,無引線(DFN,LCC) 大小/尺寸:0.126" 長 x 0.098" 寬(3.20mm x 2.50mm) 高度:0.028"(0.70mm) 標準包裝:1 NX3225SA-44.000MHZ-STD-CSR-1 功能描述:44MHz ±15ppm 晶體 8pF 50 歐姆 -10°C ~ 75°C 表面貼裝 4-SMD,無引線(DFN,LCC) 制造商:ndk 系列:NX3225SA 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):停產(chǎn) 類型:MHz 晶體 頻率:44MHz 頻率穩(wěn)定度:±15ppm 頻率容差:±15ppm 負載電容:8pF ESR(等效串聯(lián)電阻):50 歐姆 工作模式:基諧 工作溫度:-10°C ~ 75°C 等級:- 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:4-SMD,無引線(DFN,LCC) 大小/尺寸:0.126" 長 x 0.098" 寬(3.20mm x 2.50mm) 高度:0.028"(0.70mm) 標準包裝:1 NX3225SA-40M-EXS00A-CS03880 功能描述:40MHz ±10ppm 晶體 10pF 50 歐姆 -40°C ~ 85°C 表面貼裝 4-SMD,無引線(DFN,LCC) 制造商:ndk 系列:NX3225SA 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 類型:MHz 晶體 頻率:40MHz 頻率穩(wěn)定度:±17ppm 頻率容差:±10ppm 負載電容:10pF ESR(等效串聯(lián)電阻):50 歐姆 工作模式:基諧 工作溫度:-40°C ~ 85°C 等級:- 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:4-SMD,無引線(DFN,LCC) 大小/尺寸:0.126" 長 x 0.098" 寬(3.20mm x 2.50mm) 高度:0.024"(0.60mm) 標準包裝:1 NX3L1G3157GM,115 NX3L1G3157GM,132 NX3L1G3157GM-Q100X NX3L1G3157GW,125 NX3L1G3157GW-Q100H NX3L1G384GM,115 NX3L1G384GM,132 NX3L1G384GW,125 NX3L1G53GD,125 NX3L1G53GM,125 NX3L1G53GT,115 NX3L1G66GM,115 NX3L1G66GM,132 NX3L1G66GW,125 NX3L1G66GW-Q100H NX3L1T3157GM,115 NX3L1T3157GM,132 NX3L1T3157GW,125
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