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NS12555T150MNV

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  • NS12555T150MNV
    NS12555T150MNV

    NS12555T150MNV

  • 北京京北通宇電子元件有限公司
    北京京北通宇電子元件有限公司

    聯(lián)系人：王

    電話：13969210552

    地址：中國(guó)上海

  • 90

  • TAIYO YUDEN

  • con

  • 24+

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  • 現(xiàn)貨常備產(chǎn)品原裝可到京北通宇商城查價(jià)格h...

  • NS12555T150MNV
    NS12555T150MNV

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  • 天陽(yáng)誠(chéng)業(yè)科貿(mào)有限公司
    天陽(yáng)誠(chéng)業(yè)科貿(mào)有限公司

    聯(lián)系人：洪寶宇

    電話：17862669251

    地址：北京市海淀區(qū)安寧莊西路9號(hào)院29號(hào)樓金泰富地大廈503

    資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照

  • 90

  • TAIYO YUDEN

  • con

  • 24+

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  • 現(xiàn)貨常備產(chǎn)品原裝可到京北通宇商城查價(jià)格h...

  • NS12555T150MNV
    NS12555T150MNV

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  • 深圳市華盛錦科技有限公司
    深圳市華盛錦科技有限公司

    聯(lián)系人：張先生/雷小姐

    電話：0755-83795896

    地址：深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北街道賽格廣場(chǎng)55樓5566室

    資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照

  • 68000

  • TAIYO YUDEN

  • N/A最新

  • 21+原廠授權(quán)

  • -

  • ★原廠授權(quán)★價(jià)超代理★

  • NS12555T150MNV
    NS12555T150MNV

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  • 深圳市德力誠(chéng)信科技有限公司
    深圳市德力誠(chéng)信科技有限公司

    聯(lián)系人：王小姐

    電話：13305449939

    地址：深圳市福田區(qū)深南中路3031號(hào)漢國(guó)中心3204室

    資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照

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  • NS12555T150MNV
    NS12555T150MNV

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  • 深圳市德力誠(chéng)信科技有限公司
    深圳市德力誠(chéng)信科技有限公司

    聯(lián)系人：王小姐

    電話：13305449939

    地址：上海市靜安區(qū)恒豐路568號(hào)恒匯國(guó)際大廈903室

  • 90

  • TAIYO YUDEN

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  • NS12555T150MNV
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  • 深圳市澳億芯電子科技有限公司
    深圳市澳億芯電子科技有限公司

    聯(lián)系人：廖R

    電話：13163738578

    地址：龍崗區(qū)坂田五和大道山海大廈c 棟707

  • 95

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  • C24-電感器

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NS12555T150MNV 技術(shù)參數(shù)
  • NS12555T150MN 功能描述:15μH Shielded Wirewound Inductor 4.18A 27.96 mOhm Max Nonstandard 制造商:taiyo yuden 系列:NS 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 類型:繞線 材料 - 磁芯:鐵氧體 電感:15μH 容差:±20% 額定電流:4.18A 電流 - 飽和值:3.89A 屏蔽:屏蔽 DC 電阻（DCR）:27.96 毫歐最大 不同頻率時(shí)的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:16.6MHz 等級(jí):- 工作溫度:-40°C ~ 125°C 頻率 - 測(cè)試:100kHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:非標(biāo)準(zhǔn) 大小/尺寸:0.492" 長(zhǎng) x 0.492" 寬（12.50mm x 12.50mm） 高度 - 安裝（最大值）:0.230"（5.85mm） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 NS12555T102MN 功能描述:1mH Shielded Wirewound Inductor 590mA 1.344 Ohm Max Nonstandard 制造商:taiyo yuden 系列:NS 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 類型:繞線 材料 - 磁芯:鐵氧體 電感:1mH 容差:±20% 額定電流:590mA 電流 - 飽和值:470mA 屏蔽:屏蔽 DC 電阻（DCR）:1.344 歐姆最大 不同頻率時(shí)的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:2MHz 等級(jí):- 工作溫度:-40°C ~ 125°C 頻率 - 測(cè)試:100kHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:非標(biāo)準(zhǔn) 大小/尺寸:0.492" 長(zhǎng) x 0.492" 寬（12.50mm x 12.50mm） 高度 - 安裝（最大值）:0.230"（5.85mm） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 NS12555T101MNV 功能描述:100μH Unshielded Wirewound Inductor 1.86A 140.4 mOhm Max Nonstandard 制造商:taiyo yuden 系列:NS 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 類型:繞線 材料 - 磁芯:鐵氧體 電感:100μH 容差:±20% 額定電流:1.86A 電流 - 飽和值:1.53A 屏蔽:無(wú)屏蔽 DC 電阻（DCR）:140.4 毫歐最大 不同頻率時(shí)的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:6.7MHz 等級(jí):AEC-Q200 工作溫度:-40°C ~ 125°C 頻率 - 測(cè)試:100kHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:非標(biāo)準(zhǔn) 大小/尺寸:0.492" 長(zhǎng) x 0.492" 寬（12.50mm x 12.50mm） 高度 - 安裝（最大值）:0.230"（5.85mm） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 NS12555T101MN 功能描述:100μH Shielded Wirewound Inductor 1.86A 140.4 mOhm Max Nonstandard 制造商:taiyo yuden 系列:NS 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 類型:繞線 材料 - 磁芯:鐵氧體 電感:100μH 容差:±20% 額定電流:1.86A 電流 - 飽和值:1.53A 屏蔽:屏蔽 DC 電阻（DCR）:140.4 毫歐最大 不同頻率時(shí)的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:6.7MHz 等級(jí):- 工作溫度:-40°C ~ 125°C 頻率 - 測(cè)試:100kHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:非標(biāo)準(zhǔn) 大小/尺寸:0.492" 長(zhǎng) x 0.492" 寬（12.50mm x 12.50mm） 高度 - 安裝（最大值）:0.230"（5.85mm） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 NS12555T100MNV 功能描述:10μH Unshielded Wirewound Inductor 5.04A 21 mOhm Max Nonstandard 制造商:taiyo yuden 系列:NS 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 類型:繞線 材料 - 磁芯:鐵氧體 電感:10μH 容差:±20% 額定電流:5.04A 電流 - 飽和值:4.73A 屏蔽:無(wú)屏蔽 DC 電阻（DCR）:21 毫歐最大 不同頻率時(shí)的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:21.8MHz 等級(jí):AEC-Q200 工作溫度:-40°C ~ 125°C 頻率 - 測(cè)試:100kHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:非標(biāo)準(zhǔn) 大小/尺寸:0.492" 長(zhǎng) x 0.492" 寬（12.50mm x 12.50mm） 高度 - 安裝（最大值）:0.230"（5.85mm） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 NS12555T330MNV NS12555T331MN NS12555T331MNV NS12555T470MN NS12555T470MNV NS12555T471MN NS12555T471MNV NS12555T680MN NS12555T680MNV NS12555T681MN NS12555T681MNV NS12555T6R0NN NS12555T6R0NNV NS12565T100MN NS12565T100MNV NS12565T101MN NS12565T101MNV NS12565T150MN
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