NP180N04TUJ-E1-AY

配單專家企業(yè)名單

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封裝
批號
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說明
操作

NP180N04TUJ-E1-AY
深圳市琦凌凱科技有限公司
深圳市琦凌凱科技有限公司
聯(lián)系人：彭先生
電話：1331648214918276240346
地址：深圳市福田區(qū)華強北街道荔村社區(qū)振興路120號賽格科技園4棟中10層10A19
資質：營業(yè)執(zhí)照
6000
RENESAS/瑞薩
TO-263-7
22+
-
十年配單，只做原裝

NP180N04TUJ-E1-AY
深圳市華芯盛世科技有限公司
深圳市華芯盛世科技有限公司
聯(lián)系人：唐先生
電話：0755-8322569219129381337（微信同號）
地址：廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。
865000
FAIRCHILD
SOT-263-7
最新批號
-
一級代理.原裝特價現(xiàn)貨！

NP180N04TUJ-E1-AY
深圳市硅宇電子有限公司
深圳市硅宇電子有限公司
聯(lián)系人：唐先生
電話：134242936540755-83690762
地址：深圳市福田區(qū)福虹路世界貿易廣場A座1503
資質：營業(yè)執(zhí)照
300
RENESAS
TO263-7
11+PBF
-
原裝現(xiàn)貨/特價

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功能描述
MOSFET N-CH 40V 180A TO-263-7
RoHS
是
類別
分離式半導體產(chǎn)品 >> FET - 單
系列
-
標準包裝
1,000
系列
MESH OVERLAY™
FET 型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點
邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss)
200V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
18A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
180 毫歐 @ 9A，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
4V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
72nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
1560pF @ 25V
功率 - 最大
40W
安裝類型
通孔
封裝/外殼
TO-220-3 整包
供應商設備封裝
TO-220FP
包裝
管件

NP180N04TUJ-E1-AY 技術參數(shù)

NP04SZB4R7N 功能描述:4.7μH Shielded Inductor 1.6A 100 mOhm Max Nonstandard 制造商:taiyo yuden 系列:NP 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):過期類型:- 材料 - 磁芯:鐵氧體電感:4.7μH 容差:±30% 額定電流:1.6A 電流 - 飽和值:1.8A 屏蔽:屏蔽 DC 電阻（DCR）:100 毫歐最大不同頻率時的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:27MHz 等級:- 工作溫度:-25°C ~ 105°C 頻率 - 測試:1kHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:非標準大小/尺寸:0.197" 長 x 0.197" 寬（5.00mm x 5.00mm）高度 - 安裝（最大值）:0.079"（2.00mm）標準包裝:10 NP04SZB2R2N 功能描述:2.2μH Shielded Inductor 2.5A 42 mOhm Max Nonstandard 制造商:taiyo yuden 系列:NP 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):過期類型:- 材料 - 磁芯:鐵氧體電感:2.2μH 容差:±30% 額定電流:2.5A 電流 - 飽和值:2.7A 屏蔽:屏蔽 DC 電阻（DCR）:42 毫歐最大不同頻率時的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:60MHz 等級:- 工作溫度:-25°C ~ 105°C 頻率 - 測試:1kHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:非標準大小/尺寸:0.197" 長 x 0.197" 寬（5.00mm x 5.00mm）高度 - 安裝（最大值）:0.079"（2.00mm）標準包裝:10 NP04SZB220M 功能描述:22μH Shielded Inductor 770mA 300 mOhm Max Nonstandard 制造商:taiyo yuden 系列:NP 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):過期類型:- 材料 - 磁芯:鐵氧體電感:22μH 容差:±20% 額定電流:770mA 電流 - 飽和值:770mA 屏蔽:屏蔽 DC 電阻（DCR）:300 毫歐最大不同頻率時的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:10MHz 等級:- 工作溫度:-25°C ~ 105°C 頻率 - 測試:1kHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:非標準大小/尺寸:0.197" 長 x 0.197" 寬（5.00mm x 5.00mm）高度 - 安裝（最大值）:0.079"（2.00mm）標準包裝:10 NP04SZB1R0N 功能描述:1μH Shielded Wirewound Inductor 3.2A 30 mOhm Max Nonstandard 制造商:taiyo yuden 系列:NP 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):過期類型:繞線材料 - 磁芯:鐵氧體電感:1μH 容差:±30% 額定電流:3.2A 電流 - 飽和值:4A 屏蔽:屏蔽 DC 電阻（DCR）:30 毫歐最大不同頻率時的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:96MHz 等級:- 工作溫度:-25°C ~ 105°C 頻率 - 測試:1kHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:非標準大小/尺寸:0.197" 長 x 0.197" 寬（5.00mm x 5.00mm）高度 - 安裝（最大值）:0.079"（2.00mm）標準包裝:10 NP04SZB100M 功能描述:10μH Shielded Inductor 1.2A 130 mOhm Max Nonstandard 制造商:taiyo yuden 系列:NP 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):過期類型:- 材料 - 磁芯:鐵氧體電感:10μH 容差:±20% 額定電流:1.2A 電流 - 飽和值:1.3A 屏蔽:屏蔽 DC 電阻（DCR）:130 毫歐最大不同頻率時的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:15MHz 等級:- 工作溫度:-25°C ~ 105°C 頻率 - 測試:1kHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:非標準大小/尺寸:0.197" 長 x 0.197" 寬（5.00mm x 5.00mm）高度 - 安裝（最大值）:0.079"（2.00mm）標準包裝:10 NP2100SBT3G NP2100SCMCT3G NP2100SCT3G NP22N055SHE-E1-AY NP22N055SLE-E1-AY NP2300SAMCT3G NP2300SAT3G NP2300SBMCT3G NP2300SBT3G NP2300SCMCT3G NP2300SCT3G NP23N06YDG-E1-AY NP2600SAMCT3G NP2600SAT3G NP2600SB1T3G NP2600SBMCT3G NP2600SBT3G NP2600SC1T3G