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NE3515S02-T1D-A

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  • NE3515S02-T1D-A
    NE3515S02-T1D-A

    NE3515S02-T1D-A

  • 深圳市華創(chuàng)歐科技有限公司
    深圳市華創(chuàng)歐科技有限公司

    聯(lián)系人：朱先生

    電話：2394575513590206539

    地址：深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北上步工業(yè)區(qū)201棟4樓4A68-2室

  • 2300

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  • -

  • 原裝正品，公司現(xiàn)貨庫(kù)存假一罰十，電話：0...

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NE3515S02-T1D-A PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實(shí)際PDF為準(zhǔn)
  • 功能描述
  • 射頻GaAs晶體管 Super Low Noise Pseudomorphic
  • RoHS
  • 否
  • 制造商
  • TriQuint Semiconductor
  • 技術(shù)類型
  • pHEMT
  • 頻率
  • 500 MHz to 3 GHz
  • 增益
  • 10 dB
  • 噪聲系數(shù)
  • 正向跨導(dǎo) gFS（最大值/最小值）
  • 4 S
  • 漏源電壓 VDS
  • 閘/源擊穿電壓
  • - 8 V
  • 漏極連續(xù)電流
  • 3 A
  • 最大工作溫度
  • + 150 C
  • 功率耗散
  • 10 W
  • 安裝風(fēng)格
  • 封裝 / 箱體
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