參數(shù)資料
型號： MX28F1000PQI-90
廠商： MACRONIX INTERNATIONAL CO LTD
元件分類： DRAM
英文描述： 1M-BIT [128K x 8] CMOS FLASH MEMORY
中文描述： 128K X 8 FLASH 12V PROM, 90 ns, PQCC32
封裝： PLASTIC, MO-052, LCC-32
文件頁數(shù)： 23/33頁
文件大小： 127K
代理商： MX28F1000PQI-90
23
P/N: PM0340
REV. 1.6, JAN. 19, 1999
MX28F1000P
COMPATIBLE BLOCK ERASE
This device can be applied to the compatible block erase
algorithm shown in the following flowchart. This algorithm
allows to obtain faster erase time by the block (16K byte
x 8 block) without any voltage stress to the device nor
deterioration in reliability of data.
BLOCK ERASE FLOW
COMPATIBLE BLOCK ERASE FLOWCHART
START
Apply
WRITE SETUP BLOCK ERASE COMMAND
( 60H )
END
VPP = VPPH
WRITE BLOCK ERASE COMMAND
( LOAD FIRST SECTOR ADDRESS , 60H )
WAIT
10 ms
LOAD OTIF NECESSARY
( LOAD OTHER SECTOR ADDRESS )
START
END
NO
YES
FAIL
ALL BITS VERIFIED
N = 0
BLOCK ERASE FLOW
ERSVFY FLOW
N = 1024
BLOCK ERASE FAIL
APPLY
VPP = VCC
BLOCK ERASE
COMPLETE
N = N+1
For selected block(s),
All bits PGM"0"
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MX28F1000PRC-12C4 1M-BIT [128K x 8] CMOS FLASH MEMORY
MX28F1000PRC-70C4 1M-BIT [128K x 8] CMOS FLASH MEMORY
MX28F1000PRC-90C4 1M-BIT [128K x 8] CMOS FLASH MEMORY
MX28F1000PRI-12 1M-BIT [128K x 8] CMOS FLASH MEMORY
MX28F1000PRI-70 1M-BIT [128K x 8] CMOS FLASH MEMORY
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
MX28F1000PRC-12C4 制造商:MCNIX 制造商全稱:Macronix International 功能描述:1M-BIT [128K x 8] CMOS FLASH MEMORY
MX28F1000PRC-70C4 制造商:MCNIX 制造商全稱:Macronix International 功能描述:1M-BIT [128K x 8] CMOS FLASH MEMORY
MX28F1000PRC-90C4 制造商:MCNIX 制造商全稱:Macronix International 功能描述:1M-BIT [128K x 8] CMOS FLASH MEMORY
MX28F1000PRI-12 制造商:MCNIX 制造商全稱:Macronix International 功能描述:1M-BIT [128K x 8] CMOS FLASH MEMORY
MX28F1000PRI-70 制造商:MCNIX 制造商全稱:Macronix International 功能描述:1M-BIT [128K x 8] CMOS FLASH MEMORY
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