參數(shù)資料
型號(hào)： MX28F1000PQI-90
廠商： MACRONIX INTERNATIONAL CO LTD
元件分類： DRAM
英文描述： 1M-BIT [128K x 8] CMOS FLASH MEMORY
中文描述： 128K X 8 FLASH 12V PROM, 90 ns, PQCC32
封裝： PLASTIC, MO-052, LCC-32
文件頁(yè)數(shù)： 12/33頁(yè)
文件大?。?/td> 127K
代理商： MX28F1000PQI-90
12
P/N: PM0340
REV. 1.6, JAN. 19, 1999
MX28F1000P
NOTE:
1. tDF is defined as the time at which the output achieves the
open circuit condition and data is no longer driven.
TEST CONDITIONS:
Input pulse levels: 0.45V/2.4V
Input rise and fall times:
<
10ns
Reference levels for measuring timing: 0.8V, 2.0V
28F1000P-70:Vcc = 5V
±
5%, CL: 1TTL gate +
35pF(including scope and jig)
28F1000P-70:Vcc = 5V
±
5%, CL: 1TTL gate +
35pF(including scope and jig)
Vpp = GND to Vcc
AC CHARACTERISTICS
28F1000P-70
28F1000P-90
28F1000P-12
SYMBOL
PARAMETER
MIN.
MAX.
MIN.
MAX.
MIN.
MAX.
UNIT
CONDITIONS
tACC
Address to Output Delay
70
90
120
ns
CE=OE=VIL
tCE
CE to Output Delay
70
90
120
ns
OE=VIL
tOE
OE to Output Delay
30
35
50
ns
CE=VIL
tDF
OE High to Output Float
(
Note1)
0
15
0
20
0
30
ns
CE=VIL
tOH
Address to Output hold
0
0
0
0
ns
CE=OE=VIL
READ TIMING WAVEFORMS
ADDRESS
WE
OE
CE
tOH
tDF
tACC
tOE
tCE
ACTIVE MODE
STANDBY MODE
STANDBY MODE
DATA OUT
DATA OUT VALID
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PDF描述
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MX28F1000PRC-90C4 1M-BIT [128K x 8] CMOS FLASH MEMORY
MX28F1000PRI-12 1M-BIT [128K x 8] CMOS FLASH MEMORY
MX28F1000PRI-70 1M-BIT [128K x 8] CMOS FLASH MEMORY
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參數(shù)描述
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