參數(shù)資料
型號： MURD620CTTRRPBF
廠商： VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
元件分類： 整流器
英文描述： 3 A, 200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE
封裝： ROHS COMPLIANT, DPAK-3
文件頁數(shù)： 4/7頁
文件大?。?/td> 95K
代理商： MURD620CTTRRPBF
www.vishay.com
For technical questions, contact: diodestech@vishay.com
Document Number: 94084
4
Revision: 01-Jul-09
MURD620CTPbF
Vishay High Power Products
Ultrafast Rectifier,
2 x 3 A FRED PtTM
Fig. 5 - Maximum Allowable Case Temperature vs.
Average Forward Current
Fig. 6 - Forward Power Loss Characteristics
Fig. 7 - Typical Reverse Recovery Time vs. dIF/dt
Fig. 8 - Typical Stored Charge vs. dIF/dt
Note
(1) Formula used: TC = TJ - (Pd + PdREV) x RthJC;
Pd = Forward power loss = IF(AV) x VFM at (IF(AV)/D) (see fig. 6);
PdREV = Inverse power loss = VR1 x IR (1 - D); IR at VR1 = Rated VR
01
Allo
wab
le
Case
T
e
mperature
(°C)
IF(AV) - Average Forward Current (A)
160
170
180
See note (1)
150
DC
140
130
23
Square wave (D = 0.50)
Rated V
R applied
4
5
120
02
A
v
era
g
e
P
o
wer
Loss
(W)
IF(AV) - Average Forward Current (A)
0
D = 0.01
D = 0.02
D = 0.05
D = 0.10
D = 0.20
D = 0.50
DC
13
1.0
2.0
4.5
3.0
4.0
RMS limit
4
5
3.5
2.5
1.5
0.5
100
1000
t rr
(ns)
dIF/dt (A/s)
20
40
V
R = 30 V
T
J = 125 °C
T
J = 25 °C
30
50
10
I
F = 3 A
I
F = 6 A
100
1000
Q
rr
(nC)
dIF/dt (A/s)
40
I
F = 6 A
I
F = 3 A
140
100
V
R = 30 V
T
J = 125 °C
T
J = 25 °C
80
120
0
20
60
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MURD620CTTRPBF 3 A, 200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE
MURD620CTTR 6 A, 200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE
MURF1040 10 A, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AC
MURS120-7 RECTIFIER DIODE
MURS140 1 A, 400 V, SILICON, SIGNAL DIODE
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參數(shù)描述
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