參數(shù)資料
型號(hào)： MURD620CTPBF
廠商： VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
元件分類： 整流器
英文描述： 6 A, 200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE
封裝： DPAK-3
文件頁(yè)數(shù)： 3/7頁(yè)
文件大小： 144K
代理商： MURD620CTPBF
Bulletin PD-20737 rev. C 12/03
3
MURD620CT
www.irf.com
Fig. 2 - Typical Values Of Reverse Current
Vs. Reverse Voltage
Fig. 1 - Typical Forward Voltage Drop Characteristics
Reverse Voltage-V
R (V)
Fig. 3 - Typical Junction Capacitance
Vs. Reverse Voltage
Forward Voltage Drop-V
FM(V)
Instantaneous
Forward
Current
-I
F
(A)
Reverse
Current
-I
R
(A)
Reverse Voltage-V
R(V)
Junction
Capacitance
-C
T
(pF)
Fig. 4 - Max. Thermal Impedance Z thJC Characteristics
t1,Rectangular Pulse Duration (Seconds)
Thermal
Impedance
Z
thJC
(°C/W)
0.001
0.01
0.1
1
10
100
0
50
100
150
200
25C
T = 175C
J
100C
125C
150C
0.1
1
10
100
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
1.6
T = 175C
T = 150C
T = 25C
J
10
100
1
10
100
1000
T = 25C
J
0.01
0.1
1
10
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
Single Pulse
(Thermal Resistance)
D = 0.50
D = 0.20
D = 0.10
D = 0.05
D = 0.02
D = 0.01
Notes:
1. Duty factor D = t1
/ t 2
2. Peak Tj = Pdm x ZthJC + Tc
2
t
1
t
P
DM
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PDF描述
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