參數(shù)資料
型號(hào)： MURD620CTPBF
廠(chǎng)商： VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
元件分類(lèi)： 整流器
英文描述： 6 A, 200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE
封裝： DPAK-3
文件頁(yè)數(shù)： 2/7頁(yè)
文件大?。?/td> 144K
代理商： MURD620CTPBF
MURD620CT
Bulletin PD-20737 rev. C 12/03
2
www.irf.com
VBR, Vr
Breakdown Voltage,
200
-
V
IR = 100A
Blocking Voltage
VF
Forward Voltage
-
1.0
V
IF = 3A
-
0.96
V
IF = 3A, TJ = 125°C
-
1.2
V
IF = 6A
-
1.13
V
IF = 6A, TJ = 125°C
IR
Reverse Leakage Current
-
5
A
VR = VR Rated
-
250
A
TJ = 125°C, VR = VR Rated
CT
Junction Capacitance
-
12
-
pF
VR = 200V
LS
Series Inductance
-
8.0
-
nH
.
Electrical Characteristics @ TJ = 25°C (unless otherwise specified)
Parameters
Min Typ Max Units Test Conditions
Measured lead to lead 5mm from package body
trr
ReverseRecoveryTime
--
35
ns
IF = 1.0A, diF/dt = 50A/s, VR = 30V
--
25
IF = 0.5A, IR = 1.0A, IREC = 0.25A
-19
-
TJ = 25°C
26
TJ = 125°C
IRRM
Peak Recovery Current
-
3.1
-
A
TJ = 25°C
-
4.6
-
TJ = 125°C
Qrr
ReverseRecoveryCharge
-
30
-
nC
TJ = 25°C
-60
-
TJ = 125°C
Dynamic Recovery Characteristics @ TJ = 25°C (unless otherwise specified)
I
F = 3A
VR = 160V
diF /dt = 200A/s
Parameters
Min Typ Max Units Test Conditions
Parameters
Min
Typ
Max
Units
TJ
Max. Junction Temperature Range
-
- 65 to 175
°C
TStg
Max.StorageTemperatureRange
-
- 65 to 175
RthJC
Thermal Resistance, Junction to Case
Per Leg
-
9.0
°C/ W
RthJA
Thermal Resistance, Junction to Ambient
Per Leg
-
80
RthCS
Thermal Resistance, Case to Heatsink
-
Wt
Weight
-
0.3
-
g
-
0.01
-
(oz)
Mounting Torque
6.0
-
12
Kg-cm
5.0
-
10
lbf.in
Thermal - Mechanical Characteristics
Mounting Surface, Flat, Smooth and Greased
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PDF描述
MURD620CTTRLPBF 6 A, 200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE
MURD620CTTRRPBF 3 A, 200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE
MURD620CTTRPBF 3 A, 200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE
MURD620CTTR 6 A, 200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE
MURF1040 10 A, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AC
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