參數(shù)資料
型號(hào)： MTD2N40E
廠商： MOTOROLA INC
元件分類： JFETs
英文描述： TMOS POWER FET 2.0 AMPERES 400 VOLTS RDS(on) = 3.5 OHM
中文描述： 2 A, 400 V, 3.5 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
文件頁數(shù)： 3/10頁
文件大?。?/td> 268K
代理商： MTD2N40E
3
Motorola TMOS Power MOSFET Transistor Device Data
TYPICAL ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Figure 1. On–Region Characteristics
Figure 2. Transfer Characteristics
Figure 3. On–Resistance versus Drain Current
and Temperature
Figure 4. On–Resistance versus Drain Current
and Gate Voltage
Figure 5. On–Resistance Variation with
Temperature
Figure 6. Drain–To–Source Leakage
Current versus Voltage
D
I
4
3.2
2.4
1.6
0
0
4
8
12
16
20
VDS, DRAIN–TO–SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
VGS = 10 V
7 V
6 V
8 V
5 V
TJ = 25
°
C
D
I
4
3
2
1
0
2
3
4
5
6
8
VGS, GATE–TO–SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
VDS
≥
10 V
–55
°
C
TJ = 100
°
C
25
°
C
0.8
7
R
ID, DRAIN CURRENT (AMPS)
TJ = 25
°
C
VGS = 10 V
15 V
3.0
4.5
5.0
4.0
3.5
0.5
1.5
3.5
2.5
1
2
4
3
R
2
6
4
0
0
1
2
3
4
ID, DRAIN CURRENT (AMPS)
VGS = 10 V
TJ = 25
°
C
100
°
C
–55
°
C
2.5
0
8
VDS, DRAIN–TO–SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
I
VGS = 0 V
0
200
400
100
100
300
TJ = 125
°
C
1000
10
R
(
TJ, JUNCTION TEMPERATURE (
°
C)
VGS = 10 V
ID = 1 A
–50
0
50
100
150
125
–25
25
75
2.5
2
1.5
1
0.5
0
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PDF描述
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