參數(shù)資料
型號： MRF21045LR3
廠商： MOTOROLA INC
元件分類： 功率晶體管
英文描述： RF Power Field Effect Transistors
中文描述： S BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
封裝： NI-400, CASE 465E-04, 2 PIN
文件頁數(shù)： 6/12頁
文件大?。?/td> 550K
代理商： MRF21045LR3
MRF21045LR3 MRF21045LSR3
6
MOTOROLA RF DEVICE DATA
TYPICAL CHARACTERISTICS
29
34
42
24
32
24
η
IMD
I
DQ
= 500 mA
P
out
= 45 W (PEP)
f1 = 2135 MHz, f2 = 2145 MHz
41
25
40
26
39
27
38
28
37
29
36
30
35
31
28
27
26
25
60
12.5
15.5
2
0
60
G
ps
η
V
DD
= 28 Vdc
I
DQ
= 500 mA
f = 2170 MHz
15
50
14.5
40
14
30
13.5
20
13
10
50
30
10
8
6
4
2190
14
28
2090
45
10
IRL
G
ps
η
ACPR
IM3
V
DD
= 28 Vdc, P
out
= 10 W (Avg.)
I
DQ
= 500 mA
2Carrier WCDMA, 10 MHz Carrier Spacing
3.84 MHz Channel Bandwidth
Peak/Avg. = 8.3 dB @ 0.01% Probability (CCDF)
26
15
24
20
22
25
20
30
18
35
16
40
2170
2150
2130
2110
60
65
25
3
5
45
7th Order
η
3rd Order
5th Order
30
35
40
45
50
55
60
40
35
30
25
20
15
10
4
6
8
10
50
30
Figure 3. 2-Carrier W-CDMA ACPR, IM3,
Power Gain and Drain Efficiency versus
Output Power
P
out
, OUTPUT POWER (WATTS) PEP
Figure 4. Intermodulation Distortion Products
versus Output Power
,
η
Gp
I
f, FREQUENCY (MHz)
I
,
η
Figure 5. Intermodulation Distortion versus
Output Power
Figure 6. 2-Carrier W-CDMA Broadband
Performance
I
I
P
out
, OUTPUT POWER (WATTS) PEP
,
η
Gp
I
P
out
, OUTPUT POWER (WATTS)
Gp
,
η
V
DD
, DRAIN SUPPLY (V)
Figure 7. CW Performance
I
I
,
η
60
50
25
4
30
35
40
45
50
30
10
8
6
I
DQ
= 300 mA
700 mA
V
DD
= 28 Vdc
f1 = 2135 MHz
f2 = 2145 MHz
600 mA
400 mA
500 mA
I
I
20
0
30
0.5
55
25
G
ps
η
ACPR
IM3
V
DD
= 28 Vdc, I
DQ
= 500 mA
f1 = 2135 MHz, f2 = 2145 MHz
3.84 MHz Channel Bandwidth
Peak/Avg. = 8.3 dB @ 0.01% Probability (CCDF)
P
out
, OUTPUT POWER (WATTS Avg.) WCDMA
35
30
45
40
50
25
20
15
10
5
10
1
Figure 8. Two-Tone Intermodulation
Distortion and Drain Efficiency versus Drain
Supply
V
DD
= 28 Vdc, I
DQ
= 500 mA
f1 = 2135 MHz, f2 = 2145 MHz
F
Freescale Semiconductor, Inc.
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n
.
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PDF描述
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