參數(shù)資料
型號(hào)： MRF176GV
廠商： MOTOROLA INC
元件分類： 功率晶體管
英文描述： N-CHANNEL MOS BROADBAND RF POWER FETs
中文描述： 2 CHANNEL, UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
文件頁(yè)數(shù)： 4/10頁(yè)
文件大?。?/td> 177K
代理商： MRF176GV
MRF176GU MRF176GV
4
MOTOROLA RF DEVICE DATA
Figure 3. Common Source Unity Current Gain*
Gain–Frequency versus Drain Current
Figure 4. DC Safe Operating Area
TYPICAL CHARACTERISTICS
* Data shown applies to each half of MRF176GU/GV
4000
3000
2000
1000
0
10
0
1
2
3
ID, DRAIN CURRENT (AMPS)
4
5
6
7
8
9
f
T
I
100
200
2
VDS, DRAIN–SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
10
1
10
50
15 V
VDS = 30 V
TC = 25
°
C
Figure 5. Series Equivalent Input/Output Impedance
Zin
f = 500 MHz
400
100
30
225
50
ZOL*
Zo = 10
150
150
f = 500 MHz
300
225
50
225
100
30
300
400
ZOL*
f
MHz
Zin
OHMS
ZOL*
OHMS
225
300
400
500
2.05 – j2.50
2.00 – j1.10
1.85 + j0.75
1.60 + j2.70
6.50 – j3.50
4.80 – j3.10
3.00 – j1.90
2.60 + j0.10
(Pout = 150 W)
30
50
100
150
225
7.50 – j6.50
5.50 – j7.00
3.20 – j6.00
2.50 – j4.80
2.05 – j2.50
17.00 – j4.00
14.00 – j5.00
11.00 – j5.20
8.20 – j5.00
5.00 – j4.20
(Pout = 200 W)
INPUT AND OUTPUT IMPEDANCE
MRF176GU/GV
VDD = 50 V, IDQ = 2 x 100 mA
ZOL* = Conjugate of the optimum load
impedance into which the device output
operates at a given output power, voltage
and frequency.
NOTE: Input and output impedance values given are measured from gate to gate and drain to drain respectively.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MRF177 N-CHANNEL BROADBAND RF POWER MOSFET
MRF182 LATERAL N-CHANNEL BROADBAND RF POWER MOSFETs
MRF182S LATERAL N-CHANNEL BROADBAND RF POWER MOSFETs
MRF183 LATERAL N-CHANNEL BROADBAND RF POWER MOSFETs
MRF183S LATERAL N-CHANNEL BROADBAND RF POWER MOSFETs
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
MRF177 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 5-400MHz 100Watts 28Volt Gain 12dB RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
MRF18030A 制造商:FREESCALE 制造商全稱:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:RF Power Field Effect Transistors
MRF18030ALR3 制造商:FREESCALE 制造商全稱:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:RF Power Field Effect Transistors
MRF18030ALSR3 功能描述:IC MOSFET RF N-CHAN NI-400S RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> RF FET 系列:- 產(chǎn)品目錄繪圖:MOSFET SOT-23-3 Pkg 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 系列:- 晶體管類型:N 通道 JFET 頻率:- 增益:- 電壓 - 測(cè)試:- 額定電流:30mA 噪音數(shù)據(jù):- 電流 - 測(cè)試:- 功率 - 輸出:- 電壓 - 額定:25V 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:帶卷 (TR) 產(chǎn)品目錄頁(yè)面:1558 (CN2011-ZH PDF) 其它名稱:MMBFJ309LT1GOSMMBFJ309LT1GOS-NDMMBFJ309LT1GOSTR
MRF18030ALSR5 功能描述:IC MOSFET RF N-CHAN NI-400S RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> RF FET 系列:- 產(chǎn)品目錄繪圖:MOSFET SOT-23-3 Pkg 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 系列:- 晶體管類型:N 通道 JFET 頻率:- 增益:- 電壓 - 測(cè)試:- 額定電流:30mA 噪音數(shù)據(jù):- 電流 - 測(cè)試:- 功率 - 輸出:- 電壓 - 額定:25V 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:帶卷 (TR) 產(chǎn)品目錄頁(yè)面:1558 (CN2011-ZH PDF) 其它名稱:MMBFJ309LT1GOSMMBFJ309LT1GOS-NDMMBFJ309LT1GOSTR
發(fā)布緊急采購(gòu)，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購(gòu)需求

(若只采購(gòu)一條型號(hào)，填寫(xiě)一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

*型號(hào) *數(shù)量 廠商 批號(hào) 封裝
添加更多采購(gòu)

我的聯(lián)系方式

*
*
*