參數(shù)資料
型號： MRF175LV
廠商： MOTOROLA INC
元件分類： 功率晶體管
英文描述： N-CHANNEL BROADBAND RF POWER FETs
中文描述： UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
封裝： CASE 333-04, 4 PIN
文件頁數(shù)： 4/8頁
文件大?。?/td> 183K
代理商： MRF175LV
MRF175GU MRF175GV
4
MOTOROLA RF DEVICE DATA
Figure 3. Common Source Unity Current Gain
Frequency versus Drain Current
Figure 4. DC Safe Operating Area
Figure 5. Drain Current versus Gate Voltage
(Transfer Characteristics)
Figure 6. Gate–Source Voltage versus
Case Temperature
TYPICAL CHARACTERISTICS
Figure 7. Capacitance versus Drain–Source Voltage*
* Data shown applies to each half of MRF175GU/GV.
f
T
I
V
I
C
4000
3000
2000
1000
0
20
18
16
14
12
10
8
6
ID, DRAIN CURRENT (AMPS)
4
2
0
VDS = 10 V
VDS = 20 V
100
10
1
VDS, DRAIN–SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
10
1
100
TC = 25
°
C
1
VGS, GATE–SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
1
2
3
4
5
2
3
4
5
6
VDS = 10 V
TYPICAL DEVICE SHOWN, VGS(th) = 3 V
–25
TC, CASE TEMPERATURE (
°
C)
1.2
0
25
50
75
100
125
150
175
1.1
1
0.9
0.8
VDD = 28 V
ID = 4 A
3 A
2 A
100 mA
1000
5
VDS, DRAIN–SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
0
10
15
20
25
500
200
100
10
20
50
Ciss
Crss
Coss
VGS = 0 V
f = 1 MHz
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PDF描述
MRF176GU N-CHANNEL MOS BROADBAND RF POWER FETs
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