參數(shù)資料
型號(hào)： MRF137
廠商： MOTOROLA INC
元件分類： 功率晶體管
英文描述： N-CHANNEL MOS BROADBAND RF POWER FET
中文描述： UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
文件頁(yè)數(shù)： 4/10頁(yè)
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代理商： MRF137
MRF137
4
MOTOROLA RF DEVICE DATA
Figure 8. Output Power versus Supply Voltage
Figure 9. Output Power versus Gate Voltage
Figure 10. Drain Current versus Gate Voltage
(Transfer Characteristics)
Figure 11. Gate Source Voltage versus
Case Temperature
Figure 12. Capacitance versus
Drain–Source Voltage
Figure 13. DC Safe Operating Area
50
40
30
20
10
0
16
12
VDD, SUPPLY VOLTAGE (VOLTS)
o
20
24
28
Pin = 8 W
IDQ = 25 mA
f = 400 MHz
5 W
2 W
30
25
20
15
10
0
–9
VGS, GATE–SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
o
5
–8
–6
–4
–2
0
1
2
3
400 MHz
150 MHz
VDD = 28 V
IDQ = 25 mA
Pin = CONSTANT
TYPICAL DEVICE SHOWN,
VGS(th) = 3 V
I
3
VGS, GATE–SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
1
2
3
4
5
6
7
VDS = 10 V
0
2
1
TYPICAL DEVICE SHOWN,
VGS(th) = 3 V
1.02
–25
TC, CASE TEMPERATURE (
°
C)
0
25
50
75
100
125
150
1
0.98
0.96
0.94
0.92
V
VDS = 28 V
175
ID = 1.25 A
1 A
750 mA
500 mA
200 mA
25 mA
C
VDS, DRAIN–SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
200
180
4
8
12
16
20
24
28
VGS = 0 V
f = 1 MHz
Coss
Ciss
Crss
160
140
120
100
80
60
40
20
00
I
VDS, DRAIN–SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
1
10
2
0.1
5
10
20
60
100
TC = 25
°
C
5
2
1
0.5
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PDF描述
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