參數(shù)資料
型號(hào)： MRF136
廠商： MOTOROLA INC
元件分類： 功率晶體管
英文描述： N-CHANNEL MOS BROADBAND RF POWER FETs
中文描述： UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
封裝： CASE 211-07, 4 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 5/12頁(yè)
文件大?。?/td> 284K
代理商： MRF136
5
MRF136 MRF136Y
MOTOROLA RF DEVICE DATA
VGS, GATE–SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 9. Output Power versus Supply Voltage
MRF136
Figure 10. Output Power versus Gate Voltage
MRF136
Figure 11. Drain Current versus Gate Voltage
(Transfer Characteristics)*
MRF136/MRF136Y
Figure 12. Gate–Source Voltage versus
Case Temperature*
MRF136/MRF136Y
Figure 13. Capacitance versus Drain–Source Voltage*
MRF136/MRF136Y
Figure 14. DC Safe Operating Area
MRF136/MRF136Y
*Data shown applies to MRF136 and each half of MRF136Y.
12
16
20
24
28
VDD, SUPPLY VOLTAGE (VOLTS)
P
14
18
22
26
2 W
IDQ = 25 mA
f = 400 MHz
Pin = 3 W
2
1.8
1.6
1.4
1.2
1
0.8
0.6
0.4
0.2
0
20
18
16
14
12
10
8
6
4
2
0
0
16
20
24
28
VDS, DRAIN–SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
–25
25
75
125
175
TC, CASE TEMPERATURE (
°
C)
0
50
100
150
0.94
–7
P
16
14
12
10
8
6
4
2
0
4
8
12
1.04
1.03
1.02
1.01
1
0.99
0.98
0.97
0.96
0.95
0
4
5
6
7
VDS, GATE–SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
1
2
3
0
100
180
60
40
20
–6
–5
–4
–3
–2
–1
0
1
2
3
1 W
VDS = 28 V
ID = 750 mA
25 mA
500 mA
250 mA
1
30
20
50
100
VDS, DRAIN–SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
2
3
5
0.1
10
70
10
5
3
2
1
0.3
0.2
VDS = 10 V
TYPICAL DEVICE
SHOWN, VGS(th) = 3 V
VDD = 28 V
IDQ = 25 mA
Pin = CONSTANT
TYPICAL DEVICE
SHOWN, VGS(th) = 3 V
VGS = 0 V
f = 1 MHz
Coss
Ciss
Crss
MRF136Y
MRF136
TC = 25
°
C
400 MHz
150 MHz
I
I
C
V
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MRF137 N-CHANNEL MOS BROADBAND RF POWER FET
MRF140 N-CHANNEL MOS LINEAR RF POWER FET
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參數(shù)描述
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MRF13750HR5 功能描述:RF POWER LDMOS TRANSISTOR 750 W 制造商:nxp usa inc. 系列:- 零件狀態(tài):在售 晶體管類型:LDMOS（雙） 頻率:700MHz ~ 1.3GHz 增益:20.6dB 電壓 - 測(cè)試:50V 額定電流:10μA 噪聲系數(shù):- 功率 - 輸出:650W 電壓 - 額定:105V 封裝/外殼:SOT-979A 供應(yīng)商器件封裝:NI-1230H-4S 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1
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