參數(shù)資料
型號(hào)： MRF1150MB
廠商： MOTOROLA INC
元件分類： 功率晶體管
英文描述： MICROWAVE POWER TRANSISTORS
中文描述： L BAND, Si, NPN, RF POWER TRANSISTOR
文件頁數(shù)： 2/5頁
文件大?。?/td> 128K
代理商： MRF1150MB
MRF1150MA MRF1150MB
2
MOTOROLA RF DEVICE DATA
ELECTRICAL CHARACTERISTICS — continued
(TC = 25
°
C unless otherwise noted)
Characteristic
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
DYNAMIC CHARACTERISTICS
Output Capacitance
(VCB = 50 Vdc, IE = 0, f = 1.0 MHz)
FUNCTIONAL TESTS
(Pulse Width = 10
μ
s, Duty Cycle = 1.0%)
Common–Base Amplifier Power Gain
(VCC = 50 Vdc, Pout = 150 W pk, f = 1090 MHz)
Collector Efficiency
(VCC = 50 Vdc, Pout = 150 W pk, f = 1090 MHz)
Load Mismatch
(VCC = 50 Vdc, Pout = 150 W pk, f = 1090 MHz,
VSWR = 10:1 All Phase Angles)
Cob
—
25
32
pF
GPB
7.8
9.8
—
dB
η
35
40
—
%
ψ
No Degradation in Power Output
Figure 1. 1090 MHz Test Circuit
C1, C2 — 220 pF Chip Capacitor, 100–mil ATC
C3 — 0.1
μ
F/100 V
C4 — 47
μ
F/75 V Electrolytic
L1, L2 — 3 Turns #18 AWG, 1/8
″
ID
Z1–Z10 — Distributed Microstrip Elements — See Photomaster
Board Material — 0.031
″
Thick Teflon–Fiberglass,
ε
r = 2.5
RF
OUTPUT
DUT
RF
INPUT
VCC = 50 Vdc
C2
C3
C4
L1
Z1
Z2
Z3
Z4
Z5
Z6
Z7
Z8
Z9
C2
–
+
+
Z10
L2
Figure 2. Output Power versus Input Power
Figure 3. Output Power versus Frequency
200
150
100
50
0
5
10
15
20
25
0
Pin, INPUT POWER (WATTS pk)
o
f, FREQUENCY (MHz)
o
VCC = 50 V
tp = 10
μ
s
D = 1%
Pin = 20 W pk
VCC = 50 V
tp = 10
μ
s
D = 1%
f = 960 MHz
1090 MHz
1215 MHz
200
150
100
50
0
960
1090
1215
17.5 W pk
12.5 W pk
10 W pk
15 W pk
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PDF描述
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