參數資料
型號: MMBD4448H-13
廠商: DIODES INC
元件分類: 二極管(射頻、小信號、開關、功率)
英文描述: 0.25 A, 80 V, SILICON, SIGNAL DIODE
封裝: PLASTIC PACKAGE-3
文件頁數: 2/3頁
文件大小: 72K
代理商: MMBD4448H-13
DS30176 Rev. 4 - 2
2 of 3
MMBD4448H
www.diodes.com
0.1
1
10
100
1000
10000
0
20
40
60
80
100
V , REVERSE VOLTAGE (V)
R
Fig. 2 Typical Reverse Characteristics
I
,
INST
ANT
A
NE
O
US
REVERSE
CURRENT
(nA)
R
T = -40C
A
T = 25C
A
T = 75C
A
T = 125C
A
T= 0C
A
10
100
1000
1
0.1
0
1.6
1.2
0.4
0.8
I
,
INST
ANT
A
NE
O
US
F
O
R
W
ARD
CURRENT
(mA)
F
V , INSTANTANEOUS FORWARD VOLTAGE (V)
F
Fig. 1 Typical Forward Characteristics
T = 125C
A
T = -40C
A
T = 75C
A
T = 25C
A
T = 0C
A
T
C
U
D
O
R
P
W
E
N
0
0.5
1
2.5
2
1.5
3
010
20
40
30
50
C
,
T
O
T
A
L
C
AP
ACIT
ANCE
(pF)
T
V , REVERSE VOLTAGE (V)
R
Fig.3 Typical Capacitance vs. Reverse Voltage
f= 1MHz
0
100
200
T
, AMBIENT TEMPERATURE (C)
A
Fig. 4 Power Dissipation Derating
P
,
POWER
D
ISSIP
A
T
ION
(mW)
d
0
100
200
300
400
500
相關PDF資料
PDF描述
MMBD4448HSDW 0.25 A, 80 V, 4 ELEMENT, SILICON, SIGNAL DIODE
MMBD4448HT-TP 0.25 A, 80 V, SILICON, SIGNAL DIODE
MMBD4448W-13 0.25 A, 75 V, SILICON, SIGNAL DIODE
MMBD6050 0.2 A, SILICON, SIGNAL DIODE, TO-236AB
MMBD6050/E9 0.2 A, SILICON, SIGNAL DIODE, TO-236AB
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