型號(hào): | MMBD352T/R7 |
元件分類(lèi): | 射頻混頻器 |
英文描述: | SILICON, VHF BAND, MIXER DIODE |
封裝: | ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-3 |
文件頁(yè)數(shù): | 1/3頁(yè) |
文件大?。?/td> | 128K |
代理商: | MMBD352T/R7 |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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MMBZ5231C-V-G-08 | 5.1 V, 0.225 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
MQ1N5333 | 3.3 V, 5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
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MQ1N5339/TR8 | 5.6 V, 5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
MQ1N5339D/TR8 | 5.6 V, 5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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MMBD352W | 制造商:PANJIT 制造商全稱(chēng):Pan Jit International Inc. 功能描述:SURFACE MOUNT HIGH FREQUENCY SCHOTTKY DIODE |
MMBD352WT1 | 功能描述:肖特基二極管與整流器 7V 225mW Dual RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 產(chǎn)品:Schottky Diodes 峰值反向電壓:2 V 正向連續(xù)電流:50 mA 最大浪涌電流: 配置:Crossover Quad 恢復(fù)時(shí)間: 正向電壓下降:370 mV 最大反向漏泄電流: 最大功率耗散:75 mW 工作溫度范圍:- 65 C to + 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOT-143 封裝:Reel |
MMBD352WT1_05 | 制造商:ONSEMI 制造商全稱(chēng):ON Semiconductor 功能描述:Dual Schottky Barrier Diode |
MMBD352WT1G | 功能描述:肖特基二極管與整流器 7V 225mW Dual RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 產(chǎn)品:Schottky Diodes 峰值反向電壓:2 V 正向連續(xù)電流:50 mA 最大浪涌電流: 配置:Crossover Quad 恢復(fù)時(shí)間: 正向電壓下降:370 mV 最大反向漏泄電流: 最大功率耗散:75 mW 工作溫度范圍:- 65 C to + 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOT-143 封裝:Reel |
MMBD353 | 制造商:PANJIT 制造商全稱(chēng):Pan Jit International Inc. 功能描述:SURFACE MOUNT HIGH FREQUENCY SCHOTTKY DIODE |