參數(shù)資料
型號: MJF18009
廠商: ON SEMICONDUCTOR
元件分類: 功率晶體管
英文描述: POWER TRANSISTORS
中文描述: 10 A, 450 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220
封裝: ISOLATED TO-220, 3 PIN
文件頁數(shù): 7/10頁
文件大?。?/td> 433K
代理商: MJF18009
7
Motorola Bipolar Power Transistor Device Data
Figure 18. Dynamic Saturation
Voltage Measurements
Figure 19. Inductive Switching Measurements
TYPICAL SWITCHING CHARACTERISTICS
(IB = IC/2 FOR ALL CURVES)
TIME
10
4
0
8
2
0
6
8
6
2
4
9
7
5
3
1
1
3
5
7
VCE
0 V
IB
90% IB
1
μ
s
3
μ
s
dyn 1
μ
s
dyn 3
μ
s
IB
IC
Vclamp
tsi
tc
tfi
90% IC
10% IC
90% IB1
10% Vclamp
TIME
Table 1. Inductive Load Switching Drive Circuit
V(BR)CEO(sus)
L = 10 mH
RB2 =
VCC = 20 Volts
IC(pk) = 100 mA
Inductive Switching
L = 200
μ
H
RB2 = 0
VCC = 15 Volts
RB1 selected for
desired IB1
RBSOA
L = 500
μ
H
RB2 = 0
VCC = 15 Volts
RB1 selected for
desired IB1
+15 V
1
μ
F
150
3 W
100
3 W
MPF930
+10 V
50
COMMON
–Voff
500
μ
F
MPF930
MTP8P10
MUR105
MJE210
MTP12N10
MTP8P10
150
3 W
100
μ
F
Iout
A
1
μ
F
IC PEAK
VCE PEAK
VCE
IB
IB1
IB2
RB2
RB1
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