型號: | MJF18009 |
廠商: | ON SEMICONDUCTOR |
元件分類: | 功率晶體管 |
英文描述: | POWER TRANSISTORS |
中文描述: | 10 A, 450 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220 |
封裝: | ISOLATED TO-220, 3 PIN |
文件頁數(shù): | 10/10頁 |
文件大?。?/td> | 433K |
代理商: | MJF18009 |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
---|---|
MJE18009 | POWER TRANSISTORS |
MJE18009 | POWER TRANSISTORS 10 AMPERES 1000 VOLTS 50 and 150 WATTS |
MJF18204 | POWER TRANSISTORS 5 AMPERES 1200 VOLTS 35 and 75 WATTS |
MJF18204 | POWER TRANSISTORS |
MJE18204 | POWER TRANSISTORS |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
---|---|
MJF18204 | 制造商:ON SEM 功能描述: 制造商:ON Semiconductor 功能描述: |
MJF18206 | 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:POWER TRANSISTORS |
MJF2955 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 10A 90V 30W PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
MJF2955G | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 10A 90V 30W PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
MJF3055 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 10A 90V 30W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |