參數資料
型號： MJF18004
廠商： ON SEMICONDUCTOR
元件分類： 功率晶體管
英文描述： POWER TRANSISTOR
中文描述： 5 A, 450 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB
封裝： CASE 221D-03, ISOLATED TO-220, FULL PACK-3
文件頁數： 10/10頁
文件大?。?/td> 422K
代理商： MJF18004
10
Motorola Bipolar Power Transistor Device Data
PACKAGE DIMENSIONS
CASE 221A–06
TO–220AB
ISSUE Y
NOTES:
1. DIMENSIONING AND TOLERANCING PER ANSI
Y14.5M, 1982.
2. CONTROLLING DIMENSION: INCH.
3. DIMENSION Z DEFINES A ZONE WHERE ALL
BODY AND LEAD IRREGULARITIES ARE
ALLOWED.
STYLE 1:
PIN 1.
BASE
COLLECTOR
EMITTER
COLLECTOR
2.
3.
4.
DIM
A
B
C
D
F
G
H
J
K
L
N
Q
R
S
T
U
V
Z
MIN
0.570
0.380
0.160
0.025
0.142
0.095
0.110
0.018
0.500
0.045
0.190
0.100
0.080
0.045
0.235
0.000
0.045
–––
MAX
0.620
0.405
0.190
0.035
0.147
0.105
0.155
0.025
0.562
0.060
0.210
0.120
0.110
0.055
0.255
0.050
–––
0.080
MIN
14.48
9.66
4.07
0.64
3.61
2.42
2.80
0.46
12.70
1.15
4.83
2.54
2.04
1.15
5.97
0.00
1.15
–––
MAX
15.75
10.28
4.82
0.88
3.73
2.66
3.93
0.64
14.27
1.52
5.33
3.04
2.79
1.39
6.47
1.27
–––
2.04
MILLIMETERS
INCHES
B
Q
H
Z
L
V
G
N
A
K
F
1
2 3
4
D
SEATING
PLANE
–T–
C
S
T
U
R
J
NOTES:
1. DIMENSIONING AND TOLERANCING PER ANSI
Y14.5M, 1982.
2. CONTROLLING DIMENSION: INCH.
STYLE 2:
PIN 1.
BASE
COLLECTOR
EMITTER
2.
3.
DIM
A
B
C
D
F
G
H
J
K
L
N
Q
R
S
U
MIN
0.621
0.394
0.181
0.026
0.121
0.100 BSC
0.123
0.018
0.500
0.045
0.200 BSC
0.126
0.107
0.096
0.259
MAX
0.629
0.402
0.189
0.034
0.129
MIN
15.78
10.01
4.60
0.67
3.08
MAX
15.97
10.21
4.80
0.86
3.27
MILLIMETERS
INCHES
2.54 BSC
3.13
0.46
12.70
1.14
5.08 BSC
3.21
2.72
2.44
6.58
0.129
0.025
0.562
0.060
3.27
0.64
14.27
1.52
0.134
0.111
0.104
0.267
3.40
2.81
2.64
6.78
–B–
–Y–
G
N
L
D
K
H
A
F
Q
3 PL
1 2 3
M
B
M
0.25 (0.010)
Y
SEATING
PLANE
–T–
U
C
S
J
R
CASE 221D–02
(ISOLATED TO–220 TYPE)
UL RECOGNIZED: FILE #E69369
ISSUE D
How to reach us:
USA/EUROPE
: Motorola Literature Distribution;
P.O. Box 20912; Phoenix, Arizona 85036. 1–800–441–2447
JAPAN
: Nippon Motorola Ltd.; Tatsumi–SPD–JLDC, Toshikatsu Otsuki,
6F Seibu–Butsuryu–Center, 3–14–2 Tatsumi Koto–Ku, Tokyo 135, Japan. 03–3521–8315
MFAX
: RMFAX0@email.sps.mot.com – TOUCHTONE (602) 244–6609
INTERNET
: http://Design–NET.com
HONG KONG
: Motorola Semiconductors H.K. Ltd.; 8B Tai Ping Industrial Park,
51 Ting Kok Road, Tai Po, N.T., Hong Kong. 852–26629298
MJE18004/D
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PDF描述
MJF18006 POWER TRANSISTOR 6.0 AMPERES 1000 VOLTS 40 and 100 WATTS
MJF18006 POWER TRANSISTOR
MJE18006 POWER TRANSISTOR
MJE18006 POWER TRANSISTOR 6.0 AMPERES 1000 VOLTS 40 and 100 WATTS
MJF18008 POWER TRANSISTOR 8.0 AMPERES 1000 VOLTS 45 and 125 WATTS
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MJF18006 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:
MJF18006C 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk
MJF18008 功能描述:兩極晶體管 - BJT 8A 450V 45W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MJF18008G 功能描述:兩極晶體管 - BJT 8A 450V 45W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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