參數(shù)資料
型號(hào)： MJF18004
廠商： MOTOROLA INC
元件分類： 功率晶體管
英文描述： POWER TRANSISTOR 5.0 AMPERES 1000 VOLTS 35 and 75 WATTS
中文描述： 5 A, 450 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220
封裝： TO-220, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 2/10頁(yè)
文件大?。?/td> 422K
代理商： MJF18004
2
Motorola Bipolar Power Transistor Device Data
ON CHARACTERISTICS
(IC = 1.0 Adc, IB = 0.1 Adc)
0.5
0.8
(TC = 125 C)
—
—
14
—
0.25
0.36
—
7.5
34
—
DC Current Gain
(IC = 0.3 Adc, VCE = 5.0 Vdc)
(TC = 125 C)
(IC = 1.0 Adc
VCC = 300 V)
3.0
μ
s
—
14
—
1.0
μ
s
C)
(TC = 125
°
C)
—
5.6
—
Determined 1.0
μ
s and
rising IB1 reaches 90% of
final IB1
—
11.3
—
IB1 = 400 mAdc
IB2 = 0.5 Adc, VCC = 300 V)
(TC = 125
°
C)
Turn–Off Time
toff
—
—
180
1.0
—
1.7
μ
s
(TC = 125
°
C)
—
1.8
—
Turn–On Time
(IC = 2.5 Adc, IB1 = 0.5 Adc,
ton
—
450
800
ns
(TC = 125
°
C)
—
500
800
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MJF18004 POWER TRANSISTOR
MJF18006 POWER TRANSISTOR 6.0 AMPERES 1000 VOLTS 40 and 100 WATTS
MJF18006 POWER TRANSISTOR
MJE18006 POWER TRANSISTOR
MJE18006 POWER TRANSISTOR 6.0 AMPERES 1000 VOLTS 40 and 100 WATTS
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參數(shù)描述
MJF18004G 功能描述:兩極晶體管 - BJT 5A 450V 35W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MJF18006 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:
MJF18006C 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk
MJF18008 功能描述:兩極晶體管 - BJT 8A 450V 45W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MJF18008G 功能描述:兩極晶體管 - BJT 8A 450V 45W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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