參數(shù)資料
型號： MJF122
廠商： MOTOROLA INC
元件分類： 功率晶體管
英文描述： COMPLEMENTARY SILICON POWER DARLINGTONS
中文描述： 5 A, 100 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220
封裝： TO-220, 3 PIN
文件頁數(shù)： 2/8頁
文件大?。?/td> 267K
代理商： MJF122
2
Motorola Bipolar Power Transistor Device Data
OFF CHARACTERISTICS
(VCE = 50 Vdc, IB = 0)
Collector Cutoff Current
ICBO
—
10
μ
Adc
Collector–Emitter Saturation Voltage
(IC = 5 Adc, IB = 20 mAdc)
—
3.5
Base–Emitter On Voltage (IC = 3 Adc, VCE = 3 Vdc)
DYNAMIC CHARACTERISTICS
VBE(on)
—
2.5
Vdc
Small–Signal Current Gain (IC = 3 Adc, VCE = 4 Vdc, f = 1 MHz)
Output Capacitance
hfe
Cob
4
—
—
—
300
pF
MJF127
Figure 1. Switching Times Test Circuit
VCC = 30 V
IC/IB = 250
IB1 = IB2
TJ = 25
°
C
0.1
0.7
10
0.5
0.3
2
5
5
IC, COLLECTOR CURRENT (AMP)
td @ VBE(off) = 0 V
t
μ
2
1
0.5
0.2
0.1
0.07
0.05
Figure 2. Typical Switching Times
ts
tf
0.3
3
0.2
1
0.7
3
7
PNP
NPN
≈
120
≈
8 k
V2
APPROX.
+8 V
V1
APPROX.
–12 V
25
μ
s
RB
51
D1
+4 V
VCC
–30 V
RC
SCOPE
TUT
tr, tf
≤
10 ns
DUTY CYCLE = 1%
FOR td AND tr, D1 IS DISCONNECTED
AND V2 = 0
FOR NPN TEST CIRCUIT REVERSE ALL POLARITIES.
RB & RC VARIED TO OBTAIN DESIRED CURRENT LEVELS
D1, MUST BE FAST RECOVERY TYPES, e.g.,
1N5825 USED ABOVE IB
≈
100 mA
MSD6100 USED BELOW IB
≈
100 mA
tr
0
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PDF描述
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