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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | MJE4341 |
| 廠商： | MOSPEC SEMICONDUCTOR CORP. |
| 英文描述： | POWER TRANSISTORS(16A,100-160V,125W) |
| 中文描述： | 功率晶體管（16A條,100 - 160V，功率為125） |
| 文件頁數(shù)： | 3/4頁 |
| 文件大?。?/td> | 135K |
| 代理商： | MJE4341 |
A
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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| MJE4340 | POWER TRANSISTORS(16A,100-160V,125W) |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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| MJE4342 | 制造商:MOSPEC 制造商全稱:Mospec Semiconductor 功能描述:POWER TRANSISTORS(16A,100-160V,125W) |
| MJE4343 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 16A 160V 125W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MJE4343_06 | 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:High?Voltage High Power Transistors |
| MJE4343G | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 16A 160V 125W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MJE4350 | 制造商:ISC 制造商全稱:Inchange Semiconductor Company Limited 功能描述:Silicon PNP Power Transistors |
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