型號: | MJE341 |
廠商: | MOTOROLA INC |
元件分類: | 功率晶體管 |
英文描述: | 0.5 AMPERE POWER TRANSISTORS NPN SILICON 150-200 VOLTS 20 WATTS |
中文描述: | 0.5 A, 150 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-225AA |
文件頁數: | 2/4頁 |
文件大?。?/td> | 130K |
代理商: | MJE341 |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
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MJE341 | POWER TRANSISTORS NPN SILICON |
MJE344 | POWER TRANSISTORS NPN SILICON |
MJE344 | 0.5 AMPERE POWER TRANSISTORS NPN SILICON 150-200 VOLTS 20 WATTS |
MJE3439 | 0.3 AMPERE POWER TRANSISTOR NPN SILICON 350 VOLTS 15 WATTS |
MJE3439 | POWER TRANSISTOR NPN SILICON |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
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MJE3439 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 0.3A 350V 15W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
MJE3439G | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 0.3A 350V 15W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
MJE344 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 0.5A 200V 20W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
MJE344_06 | 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:Plastic NPN Silicon Medium?Power Transistor |
MJE3440 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Fast Switching RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |