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參數(shù)資料
| 型號： | MJE2361T |
| 廠商： | ON SEMICONDUCTOR |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | 0.5 A, 350 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
| 封裝： | PLASTIC, CASE 221A-06, 3 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 34/59頁 |
| 文件大?。?/td> | 340K |
| 代理商： | MJE2361T |
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Selector Guide
2–4
Motorola Bipolar Power Transistor Device Data
Table 2. Plastic TO–220AB
Device Type
Resistive Switching
PD
ICCont
Amps
Max
VCEO(sus)
Volts
Min(8)
NPN
PNP
hFE
Min/Max
@ IC
Amp
ts
s
Max
tf
s
Max
@ IC
Amp
fT
MHz
Min
PD
(Case)
Watts
@ 25
°C
0.5
350
MJE2360T
15 min
0.1
10 typ
30
MJE2361T
40 min
0.1
10 typ
30
1
100
TIP29C
TIP30C
15/75
1
0.6 typ
0.3 typ
1
3
30
250
TIP47
30/150
0.3
2 typ
0.18 typ
0.3
10
40
300
TIP48
MJE5730
30/150
0.3
2 typ
0.18 typ
0.3
10
40
350
TIP49
MJE5731
30/150
0.3
2 typ
0.18 typ
0.3
10
40
400
TIP50
MJE5731A (7)
30/150
0.3
2 typ
0.18 typ
0.3
10
40
2
100
TIP112 (2)
TIP117 (2)
500 min
2
1.7 typ
1.3 typ
2
25(1)
50
400/700
BUL44
14/36
0.4
2.75(3)
0.175(3)
1
13 typ
50
450/1000
BUX85
30
0.1
3.5
1.4
1
4
50
450/1000
MJE18002
14/34
0.2
3(3)
0.17(3)
1
12 typ
40
900/1800
MJE1320
3 min
1
4 typ
0.8 typ
1
80
3
80
BD241B
BD242B
25 min
1
3
40
100
BD241C
BD242C
25 min
1
3
40
TIP31C
TIP32C
25 min
1
0.6 typ
0.3 typ
1
3
40
150
MJE9780
50/200
0.5
5 typ
40
(1)|hFE| @ 1 MHz
(2)Darlington
(3)Switching tests performed w/special application simulator circuit. See data sheet for details.
(7)VCEO = 375 V
(8)When 2 voltages are given, the format is VCEO(sus)/VCES.
Devices listed in bold, italic are Motorola preferred devices.
STYLE 1:
PIN 1. BASE
2. COLLECTOR
3. EMITTER
4. COLLECTOR
CASE 221A–06
(TO–220AB)
1
2
3
4
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MJE2360TAF | 0.5 A, 350 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| MJE2360TAK | 0.5 A, 350 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| MJE2360TAS | 0.5 A, 350 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| MJE2360TBC | 0.5 A, 350 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| MJE2360TBU | 0.5 A, 350 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MJE240 | 制造商:Motorola Inc 功能描述: |
| MJE241 | 制造商:CENTRAL 制造商全稱:Central Semiconductor Corp 功能描述:COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS |
| MJE242 | 制造商:CENTRAL 制造商全稱:Central Semiconductor Corp 功能描述:COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS |
| MJE243 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 4A 100V 15W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MJE243_06 | 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:Complementary Silicon Power Plastic Transistors 100 VOLTS, 15 WATTS |
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