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參數(shù)資料
| 型號： | MJE181 |
| 廠商： | MOSPEC SEMICONDUCTOR CORP. |
| 英文描述： | POWER TRANSISTORS(3.0A,40-80V,12.5W) |
| 中文描述： | 功率晶體管（3.0A的,40 - 80V的，12.5W） |
| 文件頁數(shù)： | 2/4頁 |
| 文件大?。?/td> | 228K |
| 代理商： | MJE181 |
A
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MJE2360T | POWER TRANSISTORS(0.5A,350V,30W) |
| MJE2360T | 0.5 AMPERE POWER TRANSISTORS NPN SILICON 350 VOLTS 30 WATTS |
| MJE2361T | 0.5 AMPERE POWER TRANSISTORS NPN SILICON 350 VOLTS 30 WATTS |
| MJE2361T | POWER TRANSISTORS(0.5A,350V,30W) |
| MJE2801 | POWER TRANSISTORS(10A,60V,75W) |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MJE181G | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 3A 60V 12.5W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MJE181STU | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Epitaxial Sil RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MJE182 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Gen Pur Power Sw RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MJE182 | 制造商:STMicroelectronics 功能描述:Bipolar Transistor |
| MJE18204 | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk |
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