參數資料
型號： MJE18008
廠商： ON SEMICONDUCTOR
元件分類： 功率晶體管
英文描述： POWER TRANSISTOR
中文描述： 8 A, 450 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB
封裝： CASE 221A-09, 3 PIN
文件頁數： 3/10頁
文件大?。?/td> 421K
代理商： MJE18008
3
Motorola Bipolar Power Transistor Device Data
hF
IC, COLLECTOR CURRENT (AMPS)
TJ = 125
°
C
C
0.01
100
IC, COLLECTOR CURRENT (AMPS)
Figure 1. DC Current Gain @ 1 Volt
hF
Figure 2. DC Current Gain @ 5 Volts
V
Figure 3. Collector Saturation Region
Figure 4. Collector–Emitter Saturation Voltage
Figure 5. Base–Emitter Saturation Region
Figure 6. Capacitance
10
1
1
10
100
10
1
0.01
0.1
1
10
2
0.01
IB, BASE CURRENT (AMPS)
10
1
0.01
0.01
IC COLLECTOR CURRENT (AMPS)
0.1
1.3
1
0.8
0.4
0.01
IC, COLLECTOR CURRENT (AMPS)
0.1
1
10
1000
100
1
VCE, COLLECTOR–EMITTER VOLTAGE (VOLTS)
1
1000
1
0
0.1
1
10
10000
10
0.1
0.1
1
10
10
TJ = 25
°
C
TJ = – 20
°
C
TJ = 125
°
C
TJ = 25
°
C
V
IC/IB = 10
IC/IB = 5
V
1.1
0.9
0.6
0.5
0.5
1.5
1.2
TJ = 25
°
C
3 A
5 A
8 A 10 A
TJ = 25
°
C
TJ = 125
°
C
TJ = 25
°
C
TJ = 125
°
C
IC/IB = 5
IC/IB = 10
TJ = – 20
°
C
IC = 1 A
0.7
Cob
100
Cib
TYPICAL STATIC CHARACTERISTICS
VCE = 1 V
VCE = 5 V
TJ = 25
°
C
f = 1 MHz
相關PDF資料
PDF描述
MJE18008 POWER TRANSISTOR 8.0 AMPERES 1000 VOLTS 45 and 125 WATTS
MJF18009 POWER TRANSISTORS 10 AMPERES 1000 VOLTS 50 and 150 WATTS
MJF18009 POWER TRANSISTORS
MJE18009 POWER TRANSISTORS
MJE18009 POWER TRANSISTORS 10 AMPERES 1000 VOLTS 50 and 150 WATTS
相關代理商/技術參數
參數描述
MJE18008G 功能描述:兩極晶體管 - BJT 8A 450V 125W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MJE18009 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:POWER TRANSISTORS
MJE180G 功能描述:兩極晶體管 - BJT 3A 40V 12.5W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MJE180PWD 功能描述:TRANSISTOR NPN 40V 3A RoHS:是 類別:分離式半導體產品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標準包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商設備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR
MJE180STU 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Epitaxial Sil RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

*型號 *數量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*