參數(shù)資料
型號： MJE18006
廠商： ON SEMICONDUCTOR
元件分類： 功率晶體管
英文描述： POWER TRANSISTOR
中文描述： 6 A, 450 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB
封裝： CASE 221A-09, 3 PIN
文件頁數(shù)： 6/10頁
文件大?。?/td> 415K
代理商： MJE18006
6
Motorola Bipolar Power Transistor Device Data
–5
–4
–3
–2
–1
0
1
2
3
4
5
0
1
2
3
5
6
7
8
Figure 18. Dynamic Saturation Voltage Measurements
TI4
VCE
V
IB
Figure 19. Inductive Switching Measurements
1
μ
s
3
μ
s
90% IB
dyn 1
μ
s
dyn 3
μ
s
10
9
8
7
6
5
4
3
2
1
0
0
1
2
3
4
5
6
7
8
TIME
IB
IC
tsi
VCLAMP
10% VCLAMP
90% IB1
10% IC
tc
90% IC
tfi
Table 1. Inductive Load Switching Drive Circuit
+15 V
1
μ
F
150
3 W
100
3 W
MPF930
+10 V
50
COMMON
–Voff
500
μ
F
MPF930
MTP8P10
MUR105
MJE210
MTP12N10
MTP8P10
150
3 W
100
μ
F
Iout
A
1
μ
F
IC PEAK
VCE PEAK
VCE
IB
IB1
IB2
V(BR)CEO(sus)
L = 10
mH
RB2 =
∞
VCC = 20 VOLTS
IC(pk) = 100 mA
INDUCTIVE SWITCHING
L = 200
μ
H
RB2 = 0
VCC = 15 VOLTS
RB1 SELECTED FOR
DESIRED IB1
RBSOA
L = 500
μ
H
RB2 = 0
VCC = 15 VOLTS
RB1 SELECTED
FOR DESIRED IB1
RB2
RB1
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PDF描述
MJE18006 POWER TRANSISTOR 6.0 AMPERES 1000 VOLTS 40 and 100 WATTS
MJF18008 POWER TRANSISTOR 8.0 AMPERES 1000 VOLTS 45 and 125 WATTS
MJF18008 POWER TRANSISTOR
MJE18008 POWER TRANSISTOR
MJE18008 POWER TRANSISTOR 8.0 AMPERES 1000 VOLTS 45 and 125 WATTS
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參數(shù)描述
MJE18006G 功能描述:兩極晶體管 - BJT BIP NPN 8A 450V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MJE18008 功能描述:兩極晶體管 - BJT 8A 450V 125W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MJE18008G 功能描述:兩極晶體管 - BJT 8A 450V 125W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MJE18009 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:POWER TRANSISTORS
MJE180G 功能描述:兩極晶體管 - BJT 3A 40V 12.5W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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