參數(shù)資料
型號： MJE18006
廠商： ON SEMICONDUCTOR
元件分類： 功率晶體管
英文描述： POWER TRANSISTOR
中文描述： 6 A, 450 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB
封裝： CASE 221A-09, 3 PIN
文件頁數(shù)： 2/10頁
文件大?。?/td> 415K
代理商： MJE18006
2
Motorola Bipolar Power Transistor Device Data
ON CHARACTERISTICS
(IC = 1.3 Adc, IB = 0.13 Adc)
0.6
0.8
DC Current Gain (IC = 0.5 Adc, VCE = 5.0 Vdc)
(TC = 125 C)
hFE
—
—
14
5.0
0.25
0.4
—
8.0
34
—
—
(TC = 125 C)
(IC = 1.3 Adc
(IC = 3.0 Adc
(TC = 125
°
C)
—
12
—
3.0
s respectively after
(see Figure 18)
(TC = 125
°
C)
—
3.0
—
rising IB1 reaches 90% of
1.0
μ
s
IB1 = 0.6 Adc
—
7.5
—
SWITCHING CHARACTERISTICS: Resistive Load
(D.C.
10%, Pulse Width = 20
μ
s)
Turn–On Time
(IC = 3.0 Adc, IB1 = 0.6 Adc,
ton
—
90
180
ns
IB2 = 0.65 Adc, VCC = 300 V)
(TC = 125
°
C)
—
130
—
Turn–Off Time
toff
—
1.2
2.5
μ
s
(TC = 125
°
C)
—
1.9
—
Crossover Time
tc
—
220
350
ns
(TC = 125
°
C)
—
2.75
—
Crossover Time
tc
—
200
300
ns
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MJE18006 POWER TRANSISTOR 6.0 AMPERES 1000 VOLTS 40 and 100 WATTS
MJF18008 POWER TRANSISTOR 8.0 AMPERES 1000 VOLTS 45 and 125 WATTS
MJF18008 POWER TRANSISTOR
MJE18008 POWER TRANSISTOR
MJE18008 POWER TRANSISTOR 8.0 AMPERES 1000 VOLTS 45 and 125 WATTS
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
MJE18006G 功能描述:兩極晶體管 - BJT BIP NPN 8A 450V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MJE18008 功能描述:兩極晶體管 - BJT 8A 450V 125W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MJE18008G 功能描述:兩極晶體管 - BJT 8A 450V 125W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MJE18009 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:POWER TRANSISTORS
MJE180G 功能描述:兩極晶體管 - BJT 3A 40V 12.5W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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