參數(shù)資料
型號(hào)： MJE18002D2
廠商： MOTOROLA INC
元件分類： 功率晶體管
英文描述： POWER TRANSISTORS 2 AMPERES 1000 VOLTS 50 WATTS
中文描述： 2 A, 450 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB
文件頁數(shù)： 9/10頁
文件大?。?/td> 254K
代理商： MJE18002D2
9
Motorola Bipolar Power Transistor Device Data
PACKAGE DIMENSIONS
CASE 221A–06
TO–220AB
ISSUE Y
NOTES:
1. DIMENSIONING AND TOLERANCING PER ANSI
Y14.5M, 1982.
2. CONTROLLING DIMENSION: INCH.
3. DIMENSION Z DEFINES A ZONE WHERE ALL
BODY AND LEAD IRREGULARITIES ARE
ALLOWED.
STYLE 1:
PIN 1.
BASE
COLLECTOR
EMITTER
COLLECTOR
2.
3.
4.
DIM
A
B
C
D
F
G
H
J
K
L
N
Q
R
S
T
U
V
Z
MIN
0.570
0.380
0.160
0.025
0.142
0.095
0.110
0.018
0.500
0.045
0.190
0.100
0.080
0.045
0.235
0.000
0.045
–––
MAX
0.620
0.405
0.190
0.035
0.147
0.105
0.155
0.025
0.562
0.060
0.210
0.120
0.110
0.055
0.255
0.050
–––
0.080
MIN
14.48
9.66
4.07
0.64
3.61
2.42
2.80
0.46
12.70
1.15
4.83
2.54
2.04
1.15
5.97
0.00
1.15
–––
MAX
15.75
10.28
4.82
0.88
3.73
2.66
3.93
0.64
14.27
1.52
5.33
3.04
2.79
1.39
6.47
1.27
–––
2.04
MILLIMETERS
INCHES
B
Q
H
Z
L
V
G
N
A
K
F
1
2 3
4
D
SEATING
–T–
C
S
T
U
R
J
NOTES:
1. DIMENSIONING AND TOLERANCING PER ANSI
Y14.5M, 1982.
2. CONTROLLING DIMENSION: INCH.
STYLE 2:
PIN 1.
BASE
COLLECTOR
EMITTER
2.
3.
DIM
A
B
C
D
F
G
H
J
K
L
N
Q
R
S
U
MIN
0.621
0.394
0.181
0.026
0.121
0.100 BSC
0.123
0.018
0.500
0.045
0.200 BSC
0.126
0.107
0.096
0.259
MAX
0.629
0.402
0.189
0.034
0.129
MIN
15.78
10.01
4.60
0.67
3.08
MAX
15.97
10.21
4.80
0.86
3.27
MILLIMETERS
INCHES
2.54 BSC
3.13
0.46
12.70
1.14
5.08 BSC
3.21
2.72
2.44
6.58
0.129
0.025
0.562
0.060
3.27
0.64
14.27
1.52
0.134
0.111
0.104
0.267
3.40
2.81
2.64
6.78
–B–
–Y–
G
N
L
D
K
H
A
F
Q
3 PL
1 2 3
M
B
M
0.25 (0.010)
Y
SEATING
PLANE
–T–
U
C
S
J
R
CASE 221D–02
(ISOLATED TO–220 TYPE)
UL RECOGNIZED: FILE #E69369
ISSUE D
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MJF18004 POWER TRANSISTOR 5.0 AMPERES 1000 VOLTS 35 and 75 WATTS
MJF18004 POWER TRANSISTOR
MJF18006 POWER TRANSISTOR 6.0 AMPERES 1000 VOLTS 40 and 100 WATTS
MJF18006 POWER TRANSISTOR
MJE18006 POWER TRANSISTOR
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參數(shù)描述
MJE18002G 功能描述:兩極晶體管 - BJT 2A 450V 40W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MJE18004 功能描述:兩極晶體管 - BJT 5A 1000V 75W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MJE18004D2 功能描述:兩極晶體管 - BJT 5A 1000V 75W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MJE18004D2G 功能描述:兩極晶體管 - BJT 5A 1000V 75W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MJE18004G 功能描述:兩極晶體管 - BJT 5A 1000V 75W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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