參數(shù)資料
型號： MJE18002D2
廠商： MOTOROLA INC
元件分類： 功率晶體管
英文描述： POWER TRANSISTORS 2 AMPERES 1000 VOLTS 50 WATTS
中文描述： 2 A, 450 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB
文件頁數(shù)： 3/10頁
文件大小： 254K
代理商： MJE18002D2
3
Motorola Bipolar Power Transistor Device Data
C
0
1
2
0.001
IB, BASE CURRENT (mA)
1.000
h
1
0.01
10
100
0.10
1.00
10.00
Figure 1. DC Current Gain @ 1 Volt
1
0.01
10
100
10.00
0.01
0.10
1.00
10.00
0.01
0.10
0.4
0.01
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
1.1
1
10
100
1000
1
10
TYPICAL STATIC CHARACTERISTICS
TJ = 25
°
C
TJ = 125
°
C
IC/IB = 10
IC/IB = 5
h
V
V
V
0.10
1.00
IC, COLLECTOR CURRENT (AMPS)
VCE = 1 V
TJ = 125
°
C
TJ = 25
°
C
IC, COLLECTOR CURRENT (AMPS)
Figure 2. DC Current Gain @ 5 Volts
VCE = 5 V
TJ = 125
°
C
TJ = 25
°
C
TJ = –20
°
C
0.010
0.100
Figure 3. Collector Saturation Region
TJ = 25
°
C
IC = 0.2 A
0.4 A
1 A
1.5 A
2 A
IC, COLLECTOR CURRENT (AMPS)
Figure 4. Collector–Emitter Saturation Voltage
IC/IB = 10
IC/IB = 5
1.00
10.00
0.10
1.00
10.00
IC, COLLECTOR CURRENT (AMPS)
Figure 5. Base–Emitter Saturation Region
TJ = 25
°
C
TJ = 125
°
C
1
100
1000
VCE, COLLECTOR–EMITTER (VOLTS)
Figure 6. Capacitance
Cib
Cob
TJ = 25
°
C
f = 1 MHz
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PDF描述
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參數(shù)描述
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MJE18004 功能描述:兩極晶體管 - BJT 5A 1000V 75W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MJE18004D2 功能描述:兩極晶體管 - BJT 5A 1000V 75W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MJE18004D2G 功能描述:兩極晶體管 - BJT 5A 1000V 75W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MJE18004G 功能描述:兩極晶體管 - BJT 5A 1000V 75W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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