參數(shù)資料
型號(hào): MJE18002D2
廠(chǎng)商: ON SEMICONDUCTOR
元件分類(lèi): 功率晶體管
英文描述: POWER TRANSISTORS
中文描述: 2 A, 450 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB
封裝: CASE 221A-09, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù): 6/10頁(yè)
文件大小: 254K
代理商: MJE18002D2
6
Motorola Bipolar Power Transistor Device Data
–5
–4
–3
–2
–1
0
1
2
3
4
5
0
1
2
3
5
6
7
8
TI4
VCE
V
IB
1
μ
s
3
μ
s
90% IB
dyn 1
μ
s
dyn 3
μ
s
10
9
8
7
6
5
4
3
2
1
0
0
1
2
3
4
5
6
7
8
TIME
IB
IC
tsi
VCLAMP
10% VCLAMP
90% IB1
10% IC
TC
90% IC
tfi
Figure 18. Dynamic Saturation Voltage Measurements
Figure 19. Inductive Switching Measurements
Table 1. Inductive Load Switching Drive Circuit
+15 V
1
μ
F
150
3 V
100
3 V
MPF930
+10 V
50
COMMON
–Voff
500
μ
F
MPF930
MTP8P10
MUR105
MJE210
MTP12N10
MTP8P10
150
3 V
100
μ
F
Iout
A
Rb1
Rb2
1
μ
F
IC PEAK
VCE PEAK
VCE
IB
IB1
IB2
V(BR)CEO(sus)
L = 10
μ
H
RB2 =
VCC = 20 VOLTS
IC(pk) = 100 mA
INDUCTIVE SWITCHING
L = 200
μ
H
RB2 = 0
VCC = 15 VOLTS
RB1 SELECTED FOR
DESIRED IB1
RBSOA
L = 500
μ
H
RB2 = 0
VCC = 15 VOLTS
RB1 SELECTED
FOR DESIRED IB1
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PDF描述
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MJF18004 POWER TRANSISTOR 5.0 AMPERES 1000 VOLTS 35 and 75 WATTS
MJF18004 POWER TRANSISTOR
MJF18006 POWER TRANSISTOR 6.0 AMPERES 1000 VOLTS 40 and 100 WATTS
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參數(shù)描述
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MJE18004 功能描述:兩極晶體管 - BJT 5A 1000V 75W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MJE18004D2 功能描述:兩極晶體管 - BJT 5A 1000V 75W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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