參數(shù)資料
型號(hào)： MJE16204
廠商： MOTOROLA INC
元件分類： 功率晶體管
英文描述： POWER TRANSISTORS 6.0 AMPERES 550 VOLTS-. VCES 45 AND 80 WATTS
中文描述： 6 A, 250 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB
文件頁(yè)數(shù)： 3/8頁(yè)
文件大?。?/td> 276K
代理商： MJE16204
3
Motorola Bipolar Power Transistor Device Data
0.2
C
V
V
Figure 3. Typical Collector–Emitter
Saturation Region
IB, BASE CURRENT (AMPS)
0.7
0.5
0.1
0.07
0.05
0.03
0.3
0.3
0.2
6 A
0.05
1
2
2 A
3 A
IC = 1 A
0.03
0.07 0.1
0.7
0.2
0.5
30
20
5
3
2
10
7
Figure 4. Typical Base–Emitter
Saturation Voltage
0.3
30
0.5
5
0.7
0.5
0.1
0.7
20
1
IC, COLLECTOR CURRENT (AMPS)
10
10
7
2
TJ = 25
°
C
2
3
5
7
TJ = 25
°
C
TJ = 100
°
C
0.3
Figure 5. Typical Capacitance
10K
VR, REVERSE VOLTAGE (VOLTS)
Cib
0.1
1K
100
10
1
10
100
1K
2K
200
20
3K
300
5K
500
50
30
0.3
2
30
300
20
0.5
5
50
500
f
IC, COLLECTOR CURRENT (AMPS)
Figure 6. Typical Transition Frequency
VCE = 10 V
ftest = 1 MHz
TC = 25
°
C
0
0.5
1
1.5
2
3
2.5
20
18
8
2
0
14
6
16
12
1
3
IC/IB1 = 5 to 10
1
3
0.2
3
200
TC = 25
°
C
10
4
Cob
I
VCE, COLLECTOR–EMITTER VOLTAGE (VOLTS)
Figure 7. Maximum Forward Biased
Safe Operating Area
7
5
3
10
1
0.02
70
SECONDARY BREAKDOWN
WIREBOND LIMIT
THERMAL LIMIT
I
0.1
0.07
0.05
7
20
250
3
2
0.3
0.2
dc
TC = 25
°
C
1 ms
10
μ
s
0.5
50
7
0
150
550
IC/IB1
≥
5
TJ
≤
100
°
C
VBE(off) = 5 V
50
VCE(pk), PEAK COLLECTOR–EMITTER VOLTAGE (VOLTS)
350
VBE(off) = 0 V
Figure 8. Maximum Reverse Biased
Safe Operating Area
3
5
2
1
250
450
0.03
0.01
0.7
100
5
10
200
30
MJE16204
6
4
SAFE OPERATING AREA
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PDF描述
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