參數(shù)資料
型號： MJD50I
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： 功率晶體管
英文描述： 1 A, 400 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
封裝： IPAK-3
文件頁數(shù)： 2/6頁
文件大?。?/td> 0K
代理商： MJD50I
2001 Fairchild Semiconductor Corporation
Rev. A2, June 2001
MJD47/
50
Typical Characteristics
Figure 1. DC current Gain
Figure 2. Base-Emitter Saturation Voltage
Collector-Emitter Saturation Voltage
Figure 3. Turn On Time
Figure 4. Turn Off Time
Figure 5. Safe Operating Area
Figure 6. Power Derating
0.01
0.1
1
10
1
10
100
1000
VCE = 2V
h
FE
,DC
C
URRENT
GAI
N
IC[A], COLLECTOR CURRENT
0.01
0.1
1
10
0.01
0.1
1
10
IC = 5 IB
VCE(sat)
VBE(sat)
V
BE
(s
a
t)
,V
CE
(s
a
t)
[V],
SA
T
U
R
A
T
IO
N
VO
L
T
AG
E
IC[A], COLLECTOR CURRENT
0.01
0.1
1
10
0.01
0.1
1
10
VCC = 200V
IC = 5IB
tD
tR
t R
,t
D
[
s],
T
URN
O
N
T
IME
IC[A], COLLECTOR CURRENT
0.01
0.1
1
10
0.01
0.1
1
10
VCC = 200V
IC = 5IB
tF
tSTG
t ST
G
,t
F[
s]
,T
URN
O
F
T
IM
E
IC[A], COLLECTOR CURRENT
1
10
100
1000
1E-3
0.01
0.1
1
10
MJD
4
7
100
s
500
s
1m
s
MJD
5
0
DC
ICP(max)
IC(max)
I C
[A],
COL
L
ECT
O
R
CURRENT
VCE[V], COLLECTOR-EMITTER VOLTAGE
0
25
50
75
100
125
150
175
0
5
10
15
20
P
C
[W
],
PO
W
E
R
D
ISSIPAT
IO
N
TC[
oC], CASE TEMPERATURE
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MJD47I 1 A, 250 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
MJD50 1 A, 400 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-252
MJDS-G FEMALE, TELECOM AND DATACOM CONNECTOR, SOLDER, JACK
MJDS-LG5-86-2GF5S-30 12 CONTACT(S), FEMALE, TELECOM AND DATACOM CONNECTOR, SOLDER, JACK
MJDS-LG5-86-2GF5X-30 12 CONTACT(S), FEMALE, TELECOM AND DATACOM CONNECTOR, SOLDER, JACK
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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MJD50T4G 功能描述:兩極晶體管 - BJT 1A 400V 15W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MJD50T4G 制造商:ON Semiconductor 功能描述:BIPOLAR TRANSISTOR NPN 400V D-PAK 制造商:ON Semiconductor 功能描述:BIPOLAR TRANSISTOR, NPN, 400V D-PAK
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