參數(shù)資料
型號(hào)： MJD50-1
廠商： ON SEMICONDUCTOR
元件分類： 功率晶體管
英文描述： 1 A, 400 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
封裝： CASE 369-07, 3 PIN
文件頁數(shù)： 7/8頁
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代理商： MJD50-1
MJD47 MJD50
http://onsemi.com
7
Notes
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MJD47-1 1 A, 250 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
MJD50I 1 A, 400 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
MJD47I 1 A, 250 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
MJD50 1 A, 400 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-252
MJDS-G FEMALE, TELECOM AND DATACOM CONNECTOR, SOLDER, JACK
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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MJD50T4 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Hi-Volt Fast Sw RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MJD50T4G 功能描述:兩極晶體管 - BJT 1A 400V 15W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MJD50T4G 制造商:ON Semiconductor 功能描述:BIPOLAR TRANSISTOR NPN 400V D-PAK 制造商:ON Semiconductor 功能描述:BIPOLAR TRANSISTOR, NPN, 400V D-PAK
MJD50T4G-CUT TAPE 制造商:ON 功能描述:MJD Series 400 V 1 A NPN Surface Mount Power Transistor - TO-252
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