參數(shù)資料
型號： MJD47I
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： 功率晶體管
英文描述： 1 A, 250 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
封裝： IPAK-3
文件頁數(shù)： 2/6頁
文件大小： 0K
代理商： MJD47I
2001 Fairchild Semiconductor Corporation
Rev. A2, June 2001
MJD47/
50
Typical Characteristics
Figure 1. DC current Gain
Figure 2. Base-Emitter Saturation Voltage
Collector-Emitter Saturation Voltage
Figure 3. Turn On Time
Figure 4. Turn Off Time
Figure 5. Safe Operating Area
Figure 6. Power Derating
0.01
0.1
1
10
1
10
100
1000
VCE = 2V
h
FE
,DC
C
URRENT
GAI
N
IC[A], COLLECTOR CURRENT
0.01
0.1
1
10
0.01
0.1
1
10
IC = 5 IB
VCE(sat)
VBE(sat)
V
BE
(s
a
t)
,V
CE
(s
a
t)
[V],
SA
T
U
R
A
T
IO
N
VO
L
T
AG
E
IC[A], COLLECTOR CURRENT
0.01
0.1
1
10
0.01
0.1
1
10
VCC = 200V
IC = 5IB
tD
tR
t R
,t
D
[
s],
T
URN
O
N
T
IME
IC[A], COLLECTOR CURRENT
0.01
0.1
1
10
0.01
0.1
1
10
VCC = 200V
IC = 5IB
tF
tSTG
t ST
G
,t
F[
s]
,T
URN
O
F
T
IM
E
IC[A], COLLECTOR CURRENT
1
10
100
1000
1E-3
0.01
0.1
1
10
MJD
4
7
100
s
500
s
1m
s
MJD
5
0
DC
ICP(max)
IC(max)
I C
[A],
COL
L
ECT
O
R
CURRENT
VCE[V], COLLECTOR-EMITTER VOLTAGE
0
25
50
75
100
125
150
175
0
5
10
15
20
P
C
[W
],
PO
W
E
R
D
ISSIPAT
IO
N
TC[
oC], CASE TEMPERATURE
相關PDF資料
PDF描述
MJD50 1 A, 400 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-252
MJDS-G FEMALE, TELECOM AND DATACOM CONNECTOR, SOLDER, JACK
MJDS-LG5-86-2GF5S-30 12 CONTACT(S), FEMALE, TELECOM AND DATACOM CONNECTOR, SOLDER, JACK
MJDS-LG5-86-2GF5X-30 12 CONTACT(S), FEMALE, TELECOM AND DATACOM CONNECTOR, SOLDER, JACK
MJDS-LG5-86-2GF8-30 12 CONTACT(S), FEMALE, TELECOM AND DATACOM CONNECTOR, SOLDER, JACK
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