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參數(shù)資料
| 型號： | MJD45H11-1 |
| 廠商： | ON SEMICONDUCTOR |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | 8 A, 80 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
| 封裝： | DPAK-3 |
| 文件頁數(shù)： | 2/8頁 |
| 文件大?。?/td> | 0K |
| 代理商： | MJD45H11-1 |
MJD44H11 MJD45H11
http://onsemi.com
2
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TC = 25_C unless otherwise noted)
Characteristic
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
OFF CHARACTERISTICS
Collector–Emitter Sustaining Voltage
(IC = 30 mA, IB = 0)
VCEO(sus)
80
—
—
Vdc
Collector Cutoff Current
(VCE = Rated VCEO, VBE = 0)
ICES
—
—
10
A
Emitter Cutoff Current
(VEB = 5 Vdc)
IEBO
—
—
50
A
ON CHARACTERISTICS
Collector–Emitter Saturation Voltage
(IC = 8 Adc, IB = 0.4 Adc)
VCE(sat)
—
—
1
Vdc
Base–Emitter Saturation Voltage
(IC = 8 Adc, IB = 0.8 Adc)
VBE(sat)
—
—
1.5
Vdc
DC Current Gain
(VCE = 1 Vdc, IC = 2 Adc)
hFE
60
—
—
—
DC Current Gain
(VCE = 1 Vdc, IC = 4 Adc)
40
—
—
DYNAMIC CHARACTERISTICS
Collector Capacitance
(VCB = 10 Vdc, ftest = 1 MHz)
MJD44H11
MJD45H11
Ccb
—
130
230
—
pF
Gain Bandwidth Product
(IC = 0.5 Adc, VCE = 10 Vdc, f = 20 MHz)
MJD44H11
MJD45H11
fT
—
50
40
—
MHz
SWITCHING TIMES
Delay and Rise Times
(IC = 5 Adc, IB1 = 0.5 Adc)
MJD44H11
MJD45H11
td + tr
—
300
135
—
ns
Storage Time
(IC = 5 Adc, IB1 = IB2 = 0.5 Adc)
MJD44H11
MJD45H11
ts
—
500
—
ns
Fall Time
(IC = 5 Adc, IB1 = IB2 = 0.5 Adc)
MJD44H11
MJD45H11
tf
—
140
100
—
ns
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MJD44H11-1 | 8 A, 80 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
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| MJD50-1 | 1 A, 400 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| MJD47-1 | 1 A, 250 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| MJD50I | 1 A, 400 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MJD45H11-1G | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 8A 80V 20W PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MJD45H11G | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 8A 80V 20W PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MJD45H11RL | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 8A 80V 20W PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MJD45H11RLG | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 8A 80V 20W PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MJD45H11T4 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Gen Pur Switch RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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