參數(shù)資料
型號： MJD44H11T4-A
廠商： STMICROELECTRONICS
元件分類： 功率晶體管
英文描述： 8 A, 80 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-252AA
封裝： ROHS COMPLIANT, TO-252, DPAK-3
文件頁數(shù)： 6/8頁
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代理商： MJD44H11T4-A
Package mechanical data
MJD44H11T4-A, MJD45H11T4-A
6/8
Doc ID 16095 Rev 1
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TO-252 (DPAK) mechanical data
0068772_G
相關PDF資料
PDF描述
MJD45H11T4-A 8 A, 80 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-252AA
MJD45H11-1 8 A, 80 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR
MJD44H11-1 8 A, 80 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
MJD47-I 1 A, 250 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
MJD50-1 1 A, 400 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
MJD44H11T4G 功能描述:兩極晶體管 - BJT 8A 80V 20W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MJD44H11T4G-CUT TAPE 制造商:ON 功能描述:MJD Series 80 V 8 A NPN Complementary Power Transistor - TO-252
MJD44H11T5 功能描述:兩極晶體管 - BJT 8A 80V 20W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MJD44H11T5G 功能描述:兩極晶體管 - BJT 8A 80V 20W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MJD44H11TF 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Epitaxial Sil RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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