型號: | MJD44H11T4-A |
廠商: | STMICROELECTRONICS |
元件分類: | 功率晶體管 |
英文描述: | 8 A, 80 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-252AA |
封裝: | ROHS COMPLIANT, TO-252, DPAK-3 |
文件頁數(shù): | 5/8頁 |
文件大?。?/td> | 0K |
代理商: | MJD44H11T4-A |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
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MJD45H11T4-A | 8 A, 80 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-252AA |
MJD45H11-1 | 8 A, 80 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
MJD44H11-1 | 8 A, 80 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
MJD47-I | 1 A, 250 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
MJD50-1 | 1 A, 400 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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MJD44H11T4G | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 8A 80V 20W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
MJD44H11T4G-CUT TAPE | 制造商:ON 功能描述:MJD Series 80 V 8 A NPN Complementary Power Transistor - TO-252 |
MJD44H11T5 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 8A 80V 20W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
MJD44H11T5G | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 8A 80V 20W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
MJD44H11TF | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Epitaxial Sil RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |