參數(shù)資料
型號(hào)： MJD44H11-1
廠商： ON SEMICONDUCTOR
元件分類： 功率晶體管
英文描述： 8 A, 80 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
封裝： DPAK-3
文件頁數(shù)： 4/8頁
文件大?。?/td> 0K
代理商： MJD44H11-1
MJD44H11 MJD45H11
http://onsemi.com
4
IC, COLLECTOR CURRENT (AMPS)
h FE
,DC
CURRENT
GAIN
VCE = 4 V
TJ = 125°C
25°C
-40°C
1000
0.1
Figure 4. MJD44H11 DC Current Gain
10
110
100
Figure 5. MJD45H11 DC Current Gain
Figure 6. MJD44H11 Current Gain
versus Temperature
Figure 7. MJD45H11 Current Gain
versus Temperature
IC/IB = 10
TJ = 25°C
0.1
Figure 8. MJD44H11 On–Voltages
IC, COLLECTOR CURRENT (AMPS)
1
0.8
SA
TURA
TION
VOL
TAGE
(VOL
TS)
1.2
0.4
0
0.6
0.2
110
TJ = 25°C
Figure 9. MJD45H11 On–Voltages
VCE = 1 V
IC/IB = 10
TJ = 25°C
0.1
IC, COLLECTOR CURRENT (AMPS)
1
0.8
SA
TURA
TION
VOL
TAGE
(VOL
TS)
1.2
0.4
0
0.6
0.2
1
10
h FE
,DC
CURRENT
GAIN
1000
0.1
10
110
100
VCE = 1 V
IC, COLLECTOR CURRENT (AMPS)
h FE
,DC
CURRENT
GAIN
VCE = 4 V
1000
0.1
10
110
100
TJ = 25°C
1 V
TJ = 125°C
25°C
-40°C
h FE
,DC
CURRENT
GAIN
1000
0.1
10
110
100
VCE = 1 V
VBE(sat)
VCE(sat)
VBE(sat)
VCE(sat)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MJD47-I 1 A, 250 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
MJD50-1 1 A, 400 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
MJD47-1 1 A, 250 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
MJD50I 1 A, 400 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
MJD47I 1 A, 250 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
MJD44H11-1G 功能描述:兩極晶體管 - BJT 8A 80V 20W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MJD44H11G 功能描述:兩極晶體管 - BJT 8A 80V 20W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MJD44H11RL 功能描述:兩極晶體管 - BJT 8A 80V 20W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MJD44H11RLG 功能描述:兩極晶體管 - BJT 8A 80V 20W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MJD44H11T4 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Gen Pur Switch RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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