型號: | MJD41CI |
廠商: | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
元件分類: | 功率晶體管 |
英文描述: | 6 A, 100 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
封裝: | IPAK-3 |
文件頁數(shù): | 6/6頁 |
文件大小: | 76K |
代理商: | MJD41CI |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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MJD42C-1 | 6 A, 100 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
MJD44E3-1 | 10 A, 80 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
MJD44H11T4-A | 8 A, 80 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-252AA |
MJD45H11T4-A | 8 A, 80 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-252AA |
MJD45H11-1 | 8 A, 80 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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MJD41CRLG | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 6A 100V 20W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
MJD41CT4 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 6A 100V 20W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
MJD41CT4G | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 6A 100V 20W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |