參數(shù)資料
型號： MJD360T4-A
廠商： STMICROELECTRONICS
元件分類： 功率晶體管
英文描述： 3 A, 60 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-252AA
封裝： ROHS COMPLIANT, TO-252, DPAK-3
文件頁數(shù)： 2/7頁
文件大小： 0K
代理商： MJD360T4-A
Electrical ratings
MJD360T4-A, MJD361T4-A
2/7
Doc ID 16126 Rev 1
1
Electrical ratings
Note:
For PNP types voltage and current values are negative.
Table 2.
Absolute maximum ratings
Symbol
Parameter
Value
Unit
VCBO
Collector-base voltage (IE = 0)
60
V
VCEO
Collector-emitter voltage (IB = 0)
60
V
VEBO
Emitter-base voltage (IC = 0)
5
V
IC
Collector current
3
A
ICM
Collector peak current
5
A
IB
Base current
1
A
PTOT
Total dissipation at Tc = 25 °C
15
W
Tstg
Storage temperature
-65 to 150
°C
TJ
Max. operating junction temperature
150
°C
Table 3.
Thermal data
Symbol
Parameter
Value
Unit
Rthj-case Thermal resistance junction-case max.
8.3
°C/W
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MJD361T4-A 3 A, 60 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-252AA
MJD41CI 6 A, 100 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
MJD42C-1 6 A, 100 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR
MJD44E3-1 10 A, 80 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
MJD44H11T4-A 8 A, 80 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-252AA
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
MJD361T4-A 功能描述:兩極晶體管 - BJT LV Complimentary 60V Power Transistor RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MJD41C 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:Complementary Power Transistors
MJD41C_06 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:Complementary Power Transistors
MJD41C_11 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:Complementary Power Transistors
MJD41C-1 制造商:MOTOROLA 制造商全稱:Motorola, Inc 功能描述:SILICON POWER TRANSISTORS 6 AMPERES 100 VOLTS 20 WATTS
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