參數(shù)資料
型號： MJD31CI
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： 功率晶體管
英文描述： 3 A, 100 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-251
封裝： IPAK-3
文件頁數(shù)： 4/5頁
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代理商： MJD31CI
MJD31/31C
—
NPN
Epit
axial
Silicon
T
rans
istor
2010 Fairchild Semiconductor Corporation
www.fairchildsemi.com
MJD31/31C Rev. A3
4
Physical Dimensions
D-PAK
Dimensions in Millimeters
相關PDF資料
PDF描述
MJD31C-I 3 A, 100 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
MJD31I 3 A, 40 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-251
MJD32C-TP 3 A, 100 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR
MJD360T4-A 3 A, 60 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-252AA
MJD361T4-A 3 A, 60 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-252AA
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
MJD31CITU 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Epitaxial Sil RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MJD31CRL 功能描述:兩極晶體管 - BJT 3A 100V 15W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MJD31CRLG 功能描述:兩極晶體管 - BJT 3A 100V 15W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MJD31CT4 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Gen Pur Switch RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MJD31CT4-A 功能描述:兩極晶體管 - BJT LO VLT NPN PWR TRANS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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