參數(shù)資料
型號： MJD29CTF
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： 功率晶體管
英文描述： 1 A, 100 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-252
封裝： DPAK-3
文件頁數(shù)： 3/6頁
文件大小： 0K
代理商： MJD29CTF
Package Demensions
2001 Fairchild Semiconductor Corporation
Rev. A2, June 2001
MJD29/
29C
Dimensions in Millimeters
6.60
±0.20
2.30
±0.10
0.50
±0.10
5.34
±0.30
0.70
±0.20
0.60
±0.20
0.80
±0.20
9.50
±0.30
6.10
±0.20
2.70
±0.20
9.50
±0.30
6.10
±0.20
2.70
±0.20
MIN0.55
0.76
±0.10
0.50
±0.10
1.02
±0.20
2.30
±0.20
6.60
±0.20
0.76
±0.10
(5.34)
(1.50)
(2XR0.25)
(5.04)
0.89
±0.10
(0.10)
(3.05)
(1.00)
(0.90)
(0.70)
0.91
±0.10
2.30TYP
[2.30
±0.20]
2.30TYP
[2.30
±0.20]
MAX0.96
(4.34)
(0.50)
D-PAK
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MJD29CI 1 A, 100 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-251
MJD31C-1 3 A, 100 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
MJD32C-1 3 A, 100 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR
MJD31CI 3 A, 100 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-251
MJD31C-I 3 A, 100 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
MJD29TF 功能描述:兩極晶體管 - BJT RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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MJD3055-1 制造商:MOTOROLA 制造商全稱:Motorola, Inc 功能描述:SILICON POWER TRANSISTORS 10 AMPERES 60 VOLTS 20 WATTS
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