參數(shù)資料
型號： MJD29CI
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： 功率晶體管
英文描述： 1 A, 100 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-251
封裝： IPAK-3
文件頁數(shù)： 5/6頁
文件大?。?/td> 0K
代理商： MJD29CI
Product Folder - Fairchild P/N MJD29 - NPN Epitaxial Silicon Transistor
space
space
Product Folders and
Datasheets
Application
notes
space
space
MJD29
NPN Epitaxial Silicon Transistor
Related Links
Dotted line
Dotted line
Dotted line
Dotted line
Dotted line
Dotted line
Contents
Features
General Purpose Amplifier
Low Speed Switching Applications
q
Lead Formed for Surface Mount
Applications (No Suffix)
q
Straight Lead (I-PAK, "-I" Suffix)
q
Electrically Similar to Popular TIP29
and TIP29C
space
Datasheet
Product status/pricing/packaging
Product
Product status
Pricing*
Package type
Leads
Packing method
MJD29TF
Full Production
N/A
TO-252(DPAK)
2
TAPE REEL
MJD2955TF
Full Production
$0.35
TO-252(DPAK)
2
TAPE REEL
* 1,000 piece Budgetary Pricing
space
space
file:///C|/shj/MJD29.html [Jul-26-2002 3:13:57 PM]
GO
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MJD31C-1 3 A, 100 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
MJD32C-1 3 A, 100 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR
MJD31CI 3 A, 100 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-251
MJD31C-I 3 A, 100 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
MJD31I 3 A, 40 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-251
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
MJD29CITU 功能描述:兩極晶體管 - BJT RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MJD29CTF 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Si Transistor Epitaxial RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MJD29TF 功能描述:兩極晶體管 - BJT RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MJD-2V16W1P3 制造商:SEOUL 制造商全稱:Seoul Semiconductor 功能描述:120V 17W Downlight
MJD3055 功能描述:兩極晶體管 - BJT 10A 60V 20W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

*型號 *數(shù)量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*