參數(shù)資料
型號： MJD29CI
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： 功率晶體管
英文描述： 1 A, 100 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-251
封裝： IPAK-3
文件頁數(shù)： 2/6頁
文件大?。?/td> 0K
代理商： MJD29CI
2001 Fairchild Semiconductor Corporation
MJD29/
29C
Rev. A2, June 2001
Typical Characteristics
Figure 1. DC current Gain
Figure 2. Turn On Time
Figure 3. Turn Off Time
Figure 4. Safe Operating Area
Figure 5. Power Derating
0.01
0.1
1
10
1
10
100
1000
VCE = 2V
h
FE
,DC
C
URRENT
GAI
N
IC[A], COLLECTOR CURRENT
0.01
0.1
1
10
0.01
0.1
1
10
tSTG
tF, VCC=10V
tF, VCC=30V
IC=10IB
t F
,t
ST
G
,[
s
],
T
U
R
N
OFF
TI
M
E
IC[A], COLLECTOR CURRENT
0.01
0.1
1
10
0.01
0.1
1
10
tD, VBE(off)=2V
tR, VCC=10V
tR, VCC=30V
IC=10IB
t R
,t
D
[
s
],
T
UR
N
O
N
T
IM
E
IC[A], COLLECTOR CURRENT
1
10
100
1000
0.01
0.1
1
10
100
M
J
D
29C
MJD2
9
500
s
100
s
1m
s
DC
I C
[A
],
CO
LLE
CT
O
R
CURR
E
N
T
VCE[V], COLLECTOR-EMITTER VOLTAGE
0
25
50
75
100
125
150
175
0
5
10
15
20
P
C
[W
],
P
O
W
E
R
D
IS
S
IP
A
T
IO
N
TC[
o
C], CASE TEMPERATURE
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MJD31C-1 3 A, 100 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
MJD32C-1 3 A, 100 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR
MJD31CI 3 A, 100 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-251
MJD31C-I 3 A, 100 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
MJD31I 3 A, 40 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-251
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
MJD29CITU 功能描述:兩極晶體管 - BJT RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MJD29CTF 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Si Transistor Epitaxial RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MJD29TF 功能描述:兩極晶體管 - BJT RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MJD-2V16W1P3 制造商:SEOUL 制造商全稱:Seoul Semiconductor 功能描述:120V 17W Downlight
MJD3055 功能描述:兩極晶體管 - BJT 10A 60V 20W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

*型號 *數(shù)量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*