型號(hào): | MJ15001 |
廠商: | ON SEMICONDUCTOR |
元件分類: | 功率晶體管 |
英文描述: | POWER TRANSISTORS COMPLEMENTARY SILICON |
中文描述: | 15 A, 140 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-204AA |
封裝: | CASE 1-07, TO-3, 2 PIN |
文件頁(yè)數(shù): | 3/4頁(yè) |
文件大小: | 165K |
代理商: | MJ15001 |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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MJ15002 | POWER TRANSISTORS COMPLEMENTARY SILICON |
MJ21193 | 16 ampere complementary silicon power transistors 250 volts 250 watts |
MJ21193 | COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS |
MJ21194 | COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS |
MJ2194 | 16 ampere complementary silicon power transistors 250 volts 250 watts |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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MJ15001_05 | 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:Complementary Silicon Power Transistors |
MJ15001G | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 15A 140V 200W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
MJ15002 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 15A 140V 200W PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
MJ15002G | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 15A 140V 200W PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
MJ15003 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 20A 140V 250W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |