參數(shù)資料
型號： 934055958135
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, MOSFET
封裝： PLASTIC, SMD, CMPAK-4
文件頁數(shù)： 9/16頁
文件大?。?/td> 116K
代理商： 934055958135
2000 Mar 29
2
Philips Semiconductors
Product specication
N-channel dual-gate PoLo MOS-FETs
BF1202; BF1202R;
BF1202WR
FEATURES
Short channel transistor with high
forward transfer admittance to input
capacitance ratio
Low noise gain controlled amplifier
Partly internal self-biasing circuit to
ensure good cross-modulation
performance during AGC and good
DC stabilization.
APPLICATIONS
VHF and UHF applications with
3 to 9 V supply voltage, such as
digital and analogue television
tuners and professional
communications equipment.
DESCRIPTION
Enhancement type N-channel
field-effect transistor with source and
substrate interconnected. Integrated
diodes between gates and source
protect against excessive input
voltage surges. The BF1202,
BF1202R and BF1202WR are
encapsulated in the SOT143B,
SOT143R and SOT343R plastic
packages respectively.
PINNING
PIN
DESCRIPTION
1
source
2
drain
3
gate 2
4
gate 1
handbook, 2 columns
Top view
MSB014
12
3
4
Fig.1
Simplified outline
(SOT143B).
BF1202 marking code: LDp
handbook, 2 columns
Top view
MSB035
1
2
4
3
Fig.2
Simplified outline
(SOT143R).
BF1202R marking code: LEp
page
Top view
MSB842
21
4
3
Fig.3
Simplified outline
(SOT343R).
BF1202WR marking code: LE
QUICK REFERENCE DATA
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
MIN.
TYP.
MAX.
UNIT
VDS
drain-source voltage
10
V
ID
drain current
30
mA
Ptot
total power dissipation
200
mW
y
fs
forward transfer admittance
25
30
40
mS
Cig1-ss
input capacitance at gate 1
1.7
2.2
pF
Crss
reverse transfer capacitance
f = 1 MHz
15
30
fF
F
noise gure
f = 800 MHz
1.1
1.8
dB
Xmod
cross-modulation
input level for k = 1% at
40 dB AGC
100
105
dB
V
Tj
operating junction temperature
150
°C
CAUTION
This product is supplied in anti-static packing to prevent damage caused by electrostatic discharge during transport
and handling. For further information, refer to Philips specs.: SNW-EQ-608, SNW-FQ-302A and SNW-FQ-302B.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
934055960215 UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, MOSFET
934055959215 UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, MOSFET
934055961115 UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, MOSFET
934055961135 UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, MOSFET
05WS4 surface mount silicon Zener diodes
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參數(shù)描述
MC9S08PA32VQH 功能描述:8位微控制器 -MCU 8 BIT,HCS08L 32k RoHS:否 制造商:Silicon Labs 核心:8051 處理器系列:C8051F39x 數(shù)據(jù)總線寬度:8 bit 最大時鐘頻率:50 MHz 程序存儲器大小:16 KB 數(shù)據(jù) RAM 大小:1 KB 片上 ADC:Yes 工作電源電壓:1.8 V to 3.6 V 工作溫度范圍:- 40 C to + 105 C 封裝 / 箱體:QFN-20 安裝風(fēng)格:SMD/SMT
MC9S08PA4 制造商:FREESCALE 制造商全稱:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:MC9S08PA4
MC9S08PA4AVDC 功能描述:8 BITLOW END CORE4K FL 制造商:nxp usa inc. 系列:S08 包裝:托盤 零件狀態(tài):在售 核心處理器:S08 核心尺寸:8-位 速度:20MHz 連接性:LIN，SPI，UART/USART 外設(shè):LVD，POR，PWM，WDT I/O 數(shù):4 程序存儲容量:4KB（4K x 8） 程序存儲器類型:閃存 EEPROM 容量:128 x 8 RAM 容量:512 x 8 電壓 - 電源（Vcc/Vdd）:2.7 V ~ 5.5 V 數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器:A/D 4x10b 振蕩器類型:內(nèi)部 工作溫度:-40°C ~ 105°C（TA） 封裝/外殼:8-VDFN 裸露焊盤 供應(yīng)商器件封裝:8-DFN（3x3） 標準包裝:490
MC9S08PA4AVTG 功能描述:IC MCU 8BIT 4KB FLASH 16TSSOP 制造商:nxp usa inc. 系列:S08 包裝:管件 零件狀態(tài):在售 核心處理器:S08 核心尺寸:8-位 速度:20MHz 連接性:LIN，SPI，UART/USART 外設(shè):LVD，POR，PWM，WDT I/O 數(shù):14 程序存儲容量:4KB（4K x 8） 程序存儲器類型:閃存 EEPROM 容量:128 x 8 RAM 容量:512 x 8 電壓 - 電源（Vcc/Vdd）:2.7 V ~ 5.5 V 數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器:A/D 8x12b 振蕩器類型:內(nèi)部 工作溫度:-40°C ~ 105°C（TA） 封裝/外殼:16-TSSOP（0.173"，4.40mm 寬） 供應(yīng)商器件封裝:16-TSSOP 標準包裝:96
MC9S08PA4VTG 功能描述:8位微控制器 -MCU 8 BIT,low end Core,4k Fl RoHS:否 制造商:Silicon Labs 核心:8051 處理器系列:C8051F39x 數(shù)據(jù)總線寬度:8 bit 最大時鐘頻率:50 MHz 程序存儲器大小:16 KB 數(shù)據(jù) RAM 大小:1 KB 片上 ADC:Yes 工作電源電壓:1.8 V to 3.6 V 工作溫度范圍:- 40 C to + 105 C 封裝 / 箱體:QFN-20 安裝風(fēng)格:SMD/SMT
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