參數(shù)資料
型號： MBT3904DW
廠商： WEITRON INTERNATIONAL CO., LTD.
英文描述： Dual General Purpose Transistor NPN+NPN Silicon
中文描述： 雙通用npn型NPN硅晶體管
文件頁數(shù)： 5/7頁
文件大?。?/td> 208K
代理商： MBT3904DW
MBT3904DW
WEITRON
http://www.weitron.com.tw
Figure 11. Current Gain
IC COLLECTOR CURRENT (mA)
h
0.1
0.2
0.3
0.5
1.0
2.0
3.0
5.0
10
300
200
100
70
50
30
Figure 13. Input Impedance
IC COLLECTOR CURRENT (mA)
h
0.1
0.2
0.3
0.5
1.0
2.0
3.0
5.0
10
20
10
5.0
2.0
1.0
0.5
0.2
Figure 14. Voltage Feedback Radio
IC COLLECTOR CURRENT (mA)
h
-
)
10
7.0
5.0
3.0
2.0
1.0
0.7
0.5
0.1
0.2
0.3
0.5
1.0
2.0
3.0
5.0
10
Fiugure 12. Output Admittance
IC COLLECTOR CURRENT (mA)
h
0.1
0.2
0.3
0.5
1.0
2.0
3.0
5.0
10
100
50
20
10
5
2
1
Figure 15. DC Current Gain
IC COLLECTOR CURRENT (mA)
h
0.1
0.2
0.3
0.5
0.7
1.0
2.0
3.0
5.0
7.0
10
20
30
50
70
100
200
2.0
1.0
0.7
0.5
0.3
0.2
0.1
TJ=+125 C
VCE=1.0V
+25 C
-55 C
TYPICAL STATIC CHARACTERISTICS
h PARAMETERS
(VCE=10 Vdc,m f=1.0 kHz, TA=25 C)
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PDF描述
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MC2832 FOR HIGH SPEED SWITCHING APPLICATION SILICON EPITAXIAL TYPE
MC2835 FOR GENERAL SWITCHING APPLICATION SILICON EPITAXIAL TYPE(SERIES TYPE)
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參數(shù)描述
MBT3904DW1T1 功能描述:兩極晶體管 - BJT 200mA 60V Dual NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MBT3904DW1T1_05 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:Dual General Purpose Transistors
MBT3904DW1T1G 功能描述:兩極晶體管 - BJT 200mA 60V Dual NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MBT3904DW1T3 功能描述:兩極晶體管 - BJT 200mA 60V Dual NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MBT3904DW1T3G 功能描述:兩極晶體管 - BJT 200mA 60V Dual NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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